申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2020-07-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113889523B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.20#著录事项变更;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本发明公开了一种基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：基材，形成在基材中的体区、漂移区、源极接触区和漏极接触区，以及，栅极和与栅极互联的栅场板，所述基材上设置有第一导电通孔、第二导电通孔，所述第一导电通孔、第二导电通孔分别与源极、漏极配合；所述基材、体区、源极接触区和漏极接触区均为第一导电类型，所述漂移区为第二导电类型；所述漂移区内还具有至少一个凹槽，所述栅场板的局部还延伸设置在所述凹槽内，且所述栅场板与所述凹槽之间还设置有第一绝缘层。本发明提供的半导体器件同时兼顾栅场板和漂移区浅槽的效果，栅场板降低了漂移区表面电场，提高器件电压降低导通电阻。

主权项：1.一种基于立体栅场板结构的半导体器件，包括：基材，形成在基材中的体区、漂移区、源极接触区和漏极接触区，以及，栅极和与栅极互联的栅场板，所述基材上设置有第一导电通孔、第二导电通孔，所述第一导电通孔、第二导电通孔分别与源极、漏极配合；所述基材、体区为第一导电类型，所述源极接触区、漏极接触区和漂移区为第二导电类型；其特征在于：所述漂移区内沿所述漂移区的长度方向间隔设置多个凹槽，所述漂移区上设置有一个连续的栅场板，所述栅场板与所述多个凹槽相匹配，或者，所述漂移区内沿所述漂移区的长度方向间隔设置有多个凹槽，所述漂移区上间隔设置有多个栅场板，每一所述栅场板与一凹槽相匹配，且所述多个栅场板均与所述栅极互联，所述栅场板的局部还延伸设置在所述凹槽内，且所述栅场板与所述凹槽之间还设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层连续覆设在所述漂移区的表面以及所述凹槽的内壁上，所述栅场板设置在所述第一绝缘层上，所述漂移区的长度方向与半导体器件的沟道的方向垂直。

全文数据：

权利要求：

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