申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954324A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上包括第一区和第二区；在所述衬底上形成伪栅，所述第一区上的伪栅的间距小于第二区上的伪栅的间距；在所述衬底上和所述伪栅侧壁上形成初始介质层，所述第一区上的初始介质层的表面高于所述第二区上的初始介质层表面；对所述第一区和第二区上的初始介质层进行回刻蚀，形成层间介质层，第一区上的层间介质层的表面低于第二区上的层间介质层表面；在层间介质层上形成隔离层；去除所述伪栅，形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构；去除至少部分所述隔离层；对所述栅极结构以及层间介质层进行平坦化处理。所半导体结构的形成方法提升了栅极高度的均匀性，提升了器件性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括第一区和第二区；在所述衬底上形成伪栅，所述第一区上的伪栅的间距小于第二区上的伪栅的间距；在所述衬底上和所述伪栅侧壁上形成初始介质层，所述初始介质层暴露出所述伪栅，所述第一区上的初始介质层的表面高于所述第二区上的初始介质层表面；对所述第一区和第二区上的初始介质层进行回刻蚀，在衬底上形成层间介质层，第一区上的层间介质层的表面低于第二区上的层间介质层表面；在层间介质层上形成暴露出伪栅的隔离层；在形成所述隔离层之后，去除所述伪栅，在所述层间介质层内形成栅极开口；在所述栅极开口内形成栅极结构；在形成所述栅极结构之后，去除至少部分所述隔离层，暴露出所述栅极结构顶部表面；在去除部分所述隔离层之后，对所述栅极结构以及层间介质层进行平坦化处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

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