申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-20

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954492A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法先在沟道区的衬底上形成多个沟道结构，形成覆盖所述沟道结构的隔离材料层，再去除位于所述栅切割区上的第一伪沟道结构，在所述隔离材料层中形成隔离槽，在所述隔离槽内填充形成阻断墙，使得后续形成的栅极结构之后，所述栅极结构被所述阻断墙隔断，与采用刻蚀对栅极结构进行切断的工艺相比，所述阻断墙沿栅极结构的延伸方向的尺寸较小，使得断开的栅极结构间的对接方向的间距较小，从而使得所形成的半导体结构沿栅极结构的延伸方向的尺寸进一步缩减，故而能够提高所形成的半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括沟道区和栅切割区，且所述基底包括衬底；凸立于所述基底上分立的器件沟道结构，且所述器件沟道结构位于所述沟道区的衬底上；阻断墙，位于所述栅切割区的衬底上，所述阻断墙的宽度与所述器件沟道结构的宽度相当；隔离结构，位于所述分立的器件沟道结构之间，且覆盖所述衬底和器件沟道结构的侧壁；栅极结构，位于所述隔离结构上且横跨所述器件沟道结构，所述栅极结构覆盖所述器件沟道结构的部分顶部和部分侧壁，且相邻栅极结构被所述阻断墙隔断；侧墙，位于所述栅极结构两侧；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧且毗邻侧墙，所述源漏包括位于所述器件沟道结构内的部分和位于所述沟道结构上的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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