申请/专利权人：内蒙古大全半导体有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117945404A

主分类号：C01B33/035

分类号：C01B33/035

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明为一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法。一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，所述的还原进料方法中进料分4分项控制进料，按照顺序分为进料初期、提料期、生产期、稳定期；其中，N为第N次进料，三氯氢硅进料量用A表示，氢气进料量用B表示；所述的进料初期：三氯氢硅的进料量为A1，氢气的进料量为B1；所述的提料期：三氯氢硅的进料量为A1+C×N‑1kgh，氢气的进料量为B1+N‑1kgh；所述的生产期：三氯氢硅的进料量为A12+2C×N‑12kgh，氢气的进料量为B12+2或1×N‑12kgh；所述的稳定期：三氯氢硅的进料量为A37，氢气的进料量为B37或B37+D。本发明所述的一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，可以将进料配方有效固化的同时降低能耗。

主权项：1.一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，其特征在于，所述的还原进料方法中进料分4分项控制进料，按照顺序分为进料初期、提料期、生产期、稳定期；其中，进料不超过75次，N为第N次进料，三氯氢硅进料量用A表示，氢气进料量用B表示；所述的进料初期：三氯氢硅的进料量为A1，氢气的进料量为B1；所述的提料期：三氯氢硅的进料量为A1+C×N-1kgh，氢气的进料量为B1+N-1kgh；所述的生产期：三氯氢硅的进料量为A12+2C×N-12kgh，氢气的进料量为B12+2或1×N-12kgh；所述的稳定期：三氯氢硅的进料量为A37，氢气的进料量为B37或B37+D。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 内蒙古大全半导体有限公司 一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法

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