申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954506A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/66;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种具有场限环结终端的超宽禁带半导体二极管，包括衬底层、外延层、介质层、阴极金属层、多个场限环和阳极金属层，其中外延层和衬底层为第一超宽禁带半导体材料；场限环为第二超宽禁带半导体，与外延层形成异质结结构改善电场分布，优化器件性能。本发明利用对正性光刻胶的多次光刻和对介质层的刻蚀形成了具有台阶的沟槽形貌，之后通过干法刻蚀将沟槽形貌转移到外延层上再淀积第二超宽禁带半导体材料形成具有台阶的场限环结终端。该结构台阶处的平滑过度和两侧弧面能够有效降低峰值电场，在保护肖特基接触的同时，也能保护终端区上方存在的各种介质层的可靠性。

主权项：1.一种具有场限环结终端的超宽禁带半导体二极管，其元胞结构包括从下至上依次层叠设置的阴极金属层5、衬底层4和外延层3，所述外延层3的顶层中具有间隔设置的多个场限环2，部分第一场限环和部分外延层3上设置阳极金属层1，另一部分第一场限环、其他场限环及另一部分外延层3上设置介质层6，所述介质层6和所述阳极金属层1的侧面相互接触；阳极金属层1与外延层3形成肖特基接触，阴极金属层5与衬底层4形成欧姆接触；其特征在于，所述衬底层4、外延层3均为第一超宽禁带半导体材料；所述衬底层4的浓度高于外延层3的浓度；所述场限环2为第二超宽禁带半导体材料，第一超宽禁带半导体材料不同于第二超宽禁带半导体材料；场限环2的结深从下至上呈阶梯式减小，形成具有台阶的场限环，且场限环2由淀积工艺形成，与外延层3形成异质结来改善电场分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种具有场限环结终端的超宽禁带半导体二极管

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