申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117577658B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔离结构外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离结构为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离结构为深沟槽隔离结构；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离结构；于各深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；其中，复合格栅外凸于多层功能层。本申请先形成隔离结构再采用回刻衬底并依次沉积功能层以形成感光区的制作方法，提高了图像传感器的感光性能。

主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述衬底的第一表面齐平；于所述衬底的第二表面上形成保护层；于所述衬底和所述保护层内形成多个与所述浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；所述隔离结构外凸于所述保护层，且外凸于所述保护层的部分所述隔离结构为复合格栅，位于所述保护层及所述衬底内的部分所述隔离结构为深沟槽隔离结构；去除所述保护层以及部分所述衬底，以露出各所述深沟槽隔离结构；于未形成所述深沟槽隔离结构的衬底表面形成多层功能层，所述多层功能层与所述深沟槽隔离结构位于所述衬底的同一侧，各所述功能层的材料不同；其中，所述复合格栅外凸于所述多层功能层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体结构的制作方法及其结构

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