申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-02-22

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113299733B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00

优先权：["20200512 US 63/023,578","20201113 US 17/097,323"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要：根据本公开的半导体器件包括：鳍结构，位于衬底上方；竖直堆叠的硅纳米结构，设置在鳍结构上方；隔离结构，设置在鳍结构周围；含锗界面层，包围在每一个竖直堆叠的硅纳米结构周围；栅极介电层，包围在含锗界面层周围；以及栅电极层，包围在栅极介电层周围。本申请的实施例提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。

主权项：1.一种半导体结构，包括：鳍结构，位于衬底上方；竖直堆叠的硅纳米结构，设置在所述鳍结构上方；隔离结构，设置在所述鳍结构周围；含锗界面层，包围在每一个竖直堆叠的硅纳米结构周围；栅极介电层，包围在所述含锗界面层周围；栅电极层，包围在所述栅极介电层周围；以及内部间隔件部件，与所述竖直堆叠的硅纳米结构交错，其中，所述含锗界面层与所述内部间隔件部件接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件、半导体结构及其形成方法

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