申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司

申请日：2022-11-14

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995853A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20221031 TW 111141403"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本发明公开一种影像传感器结构，包括基底、第一像素结构、第二像素结构、介电层与导电层堆叠。第一像素结构包括第一感光元件。第一感光元件设置在基底中。第二像素结构包括第二感光元件。第二感光元件设置在基底中。导电层堆叠包括多个导电层。导电层堆叠具有第一开口与第二开口。第一开口位于第一感光元件的正上方且贯穿多个导电层。第一开口具有第一最小宽度。第二开口位于第二感光元件的正上方且贯穿多个导电层。第二开口具有第二最小宽度。第二开口的第二最小宽度小于第一开口的第一最小宽度。第二像素结构的光通量不同于第一像素结构的光通量。

主权项：1.一种影像传感器结构，包括：基底；第一像素结构，包括第一感光元件，其中所述第一感光元件设置在所述基底中；第二像素结构，包括第二感光元件，其中所述第二感光元件设置在所述基底中；介电层，设置在所述基底上；以及导电层堆叠，包括多个导电层，且具有第一开口与第二开口，其中多个所述导电层设置在所述介电层中，所述第一开口位于所述第一感光元件的正上方且贯穿多个所述导电层，所述第一开口具有第一最小宽度，所述第二开口位于所述第二感光元件的正上方且贯穿多个所述导电层，所述第二开口具有第二最小宽度，所述第二开口的所述第二最小宽度小于所述第一开口的所述第一最小宽度，且所述第二像素结构的光通量不同于所述第一像素结构的光通量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 影像传感器结构

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