申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2012-12-17

公开（公告）日：2013-07-10

公开（公告）号：CN203055893U

主分类号：H01L23/31(2006.01)I

分类号：H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2015.02.04#未缴年费专利权终止;2013.07.10#授权

摘要：本实用新型公开了一种再布线热增强型FCQFN封装器件。在再布线热增强型FCQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中、在IC芯片上方配置散热片或者在IC芯片下方配置导热片以提升封装器件的散热性能，绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间，引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接，第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面，采用塑封材料进行包封。本实用新型采用的再布线层可使封装器件的尺寸大幅减小，降低了制造成本，提升了封装器件的良率和可靠性。

主权项：一种再布线热增强型FCQFN封装器件，其特征在于：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；IC芯片通过焊接材料倒装配置于第一金属层，且IC芯片背面裸露在外部环境中；引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接；第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面；塑封材料包覆密封上述IC芯片、焊接材料、第一金属材料层、再布线层和芯片载体，仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种再布线热增强型FCQFN封装器件

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