申请/专利权人：浙江大学

申请日：2019-11-04

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110670125A

主分类号：C30B25/00(20060101)

分类号：C30B25/00(20060101);C30B29/46(20060101);C23C16/30(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2021.07.30#发明专利申请公布后的驳回;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本发明公开了一种生长在Sappire衬底上的MoS2二维材料的制备方法，包括如下步骤：衬底准备：采用Sapphire衬底，不进行任何预处理；原料准备：将Sapphire衬底传送进MOCVD腔内的石英台上，腔内压强控制在20Torr，腔内始终通入N220slm；采用化学气相沉积法进行反应：升高腔内温度至生长温度，先后通入H2S气源，MoCO6进行恒温生长，降温至室温，取出样品，得到所述生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。所述方法可有效控制MoS2形核密度，均匀性，以及晶粒取向，且具有可行性高的优点。

主权项：1.一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1采用蓝宝石衬底；2将蓝宝石衬底置于MOCVD设备腔内，通入保护性气体；3将MOCVD设备腔升温至生长温度900℃～1100℃，恒温保持2～15分钟，先通入H2S作为硫气源，H2S通入5～20分钟之后再通入MoCO6气源，同时保持H2S的通入，在生长温度900℃～1100℃进行MoS2恒温生长2-20分钟，恒温生长完成后得到生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种生长在蓝宝石衬底上的硫化钼二维材料的制备方法

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