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【发明公布】包含控制栅极之间的空隙的存储器装置_美光科技公司_201880062193.X 

申请/专利权人:美光科技公司

申请日:2018-07-30

公开(公告)日:2020-05-12

公开(公告)号:CN111149207A

主分类号:H01L27/11578(20060101)

分类号:H01L27/11578(20060101);H01L27/11524(20060101);H01L27/11529(20060101);H01L27/02(20060101)

优先权:["20170811 US 15/675,130"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态:2023.07.11#发明专利申请公布后的撤回;2020.06.05#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要:一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含:沟道,其用以传导电流,所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分;第一存储器单元结构,其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间;第二存储器单元结构,其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间;及空隙,其位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间。

主权项:1.一种设备,其包括:沟道,其用以传导电流,所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分;第一存储器单元结构,其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间;第二存储器单元结构,其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间;及空隙,其位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 包含控制栅极之间的空隙的存储器装置

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