申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878145A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/308;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法。射频器件包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极、支撑层和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Γ型结构，所述第一方向和所述第二方向垂直。本发明降低了栅结构制备对设备的要求，通过沉积‑刻蚀制备极短栅极，完全不需要电子束光刻技术，国产设备即可满足生产需求。

主权项：1.一种射频器件，包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，其特征在于，还包括：支撑层，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Γ型结构，所述第一方向和所述第二方向垂直。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法

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