申请/专利权人:湖南国芯半导体科技有限公司
申请日:2019-12-23
公开(公告)日:2020-05-15
公开(公告)号:CN111162051A
主分类号:H01L23/492(20060101)
分类号:H01L23/492(20060101);H01L23/49(20060101);H01L23/60(20060101);H01L21/60(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.08.03#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开
摘要:本发明提供一种功率端子、功率模块封装结构及封装方法,涉及功率模块领域,其用于实现应用电路的低电感设计。发明的功率端子,包括输出端子和输入端子,输入端子包括层叠设置的正极端子和负极端子,正极端子和负极端子相互平行且具有相同的宽度。通过将正极端子和负极端子层叠设置,使二者尽量平行对称,从而在功率器件环流中,正负功率端子之间会形成大小相同、方向相反的电流,磁场相消,从而降低回路的杂散电感。
主权项:1.一种功率端子,其特征在于,所述功率端子3包括输出端子31和输入端子32,所述输入端子32包括层叠设置的正极端子324和负极端子323,所述正极端子324和所述负极端子323相互平行且具有相同的宽度。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 湖南国芯半导体科技有限公司 功率端子、功率模块封装结构及封装方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。