申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

申请日：2018-07-26

公开（公告）日：2020-05-26

公开（公告）号：CN108917570B

主分类号：G01B7/00(20060101)

分类号：G01B7/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.08.04#未缴年费专利权终止;2018.12.25#实质审查的生效;2018.11.30#公开

摘要：本发明公开了一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法，该检测探头用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度。通过各数据线和电极的设置，与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并通过检测第一膜层和第二膜层的电压变化确定该第一膜层和第二膜层的边界，从而确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差，该种检测方式的准确率得到了很大的提高，有利于保证阵列基板中各膜层的精确对位。

主权项：1.一种检测探头，用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；其特征在于，包括：设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极；所述第一数据线与所述第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，所述第一电极与所述第二电极位于所述电极区域且交替排列；其中，所述第一电极与所述第一数据线相连，所述第二电极与所述第二数据线相连；在第一阶段，所述第一数据线用于接收激励电压，将所述激励电压提供给所述第一电极，所述第一电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第二电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第二数据线将所述电压变化的数据输出；在第二阶段，所述第二数据线用于接收所述激励电压，将所述激励电压提供给所述第二电极，所述第二电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第一电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第一数据线将所述电压变化的数据输出。

全文数据：一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法技术领域[0001]本发明涉及对位精度检测领域，尤指一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法。背景技术[0002]在显示面板的制备过程中，阵列基板的制备工艺是技术核心的所在，而利用掩膜版对阵列基板上的各膜层进行构图是阵列基板的制备工艺中重要的环节。在对各膜层进行构图时，对位精度的要求非常高，在每次曝光工艺之后，均需对衬底基板上的关键尺寸和套合精度进行检测，以保证曝光工艺后各膜层的尺寸在合理的范围内。[0003]目前，对套合精度进行检测的设备为光学检测设备，即利用摄像头拍摄显影后的阵列基板的图像，根据该图像抓取关键线宽和套合精度的偏移量，但是，该种检测方式的检测精度较低，存在的偏差量较大，不能满足阵列基板对位精度的要求。[0004]因此，如何减小套合精度检测的偏差，以提高对阵列基板中各膜层进行构图时的对位精度是本领域技术人员亟待解决的技术问题。发明内容[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法，以提高对阵列基板中的膜层进行构图时的对位精度。[0006]本发明实施例提供的一种检测探头，用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同;包括:设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极；[0007]所述第一数据线与所述第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，所述第一电极与所述第二电极位于所述电极区域且交替排列；[0008]其中，所述第一电极与所述第一数据线相连，所述第二电极与所述第二数据线相连；[0009]在第一阶段，所述第一数据线用于接收激励电压，将所述激励电压提供给所述第一电极，所述第一电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第二电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第二数据线将所述电压变化的数据输出；[0010]在第二阶段，所述第二数据线用于接收所述激励电压，将所述激励电压提供给所述第二电极，所述第二电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第一电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第一数据线将所述电压变化的数据输出。[0011]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测探头中，在所述第一数据线和所述第二数据线的延伸方向上所述第一电极与所述第二电极均交替排列。[0012]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测探头中，还包括:绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一数据线与所述第二数据线之间。[0013]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测探头中，所述第一电极与所述第一数据线同层设置。[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述检测探头中，所述第二电极与所述第二数据线同层设置。[0015]另一方面，本发明实施例还提供了一种套合精度检测装置，包括:检测探头、处理模块和驱动模块；[0016]所述检测探头位于所述预设检测区域上方，用于分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，并感应所述预设检测区域内所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；[0017]所述驱动模块用于向所述检测探头施加激励电压；[0018]所述处理模块用于接收所述电压变化的数据，根据所述电压变化的数据确定在所述预设检测区域内所述第一膜层的边界和所述第二膜层的边界，并根据所述第一膜层的边界与所述第二膜层的边界确定所述第一膜层的第一对位点与所述第二膜层的第二对位点之间的偏差。[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置中，所述第一数据线和所述第二数据线均与所述驱动模块和所述处理模块相连。[0020]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置中，还包括:数据传输模块；[0021]所述数据传输模块用于将所述检测探头感应的所述电压变化的数据提供给所述处理模块。[0022]另一方面，本发明实施例还提供了一种套合精度检测装置的检测方法，包括：[0023]所述驱动模块向所述检测探头施加激励电压，所述检测探头根据所述激励电压感应所述第一膜层和所述第二膜层的所述电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；[0024]所述处理模块根据所述电压数据的变化确定所述第一膜层和所述第二膜层的边界，并根据所述第一膜层的边界和所述第二膜层的边界确定所述第一膜层的第一对位点与所述第二膜层的第二对位点之间的偏差。[0025]在一种可能的实施方式中，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置的检测方法中，所述驱动模块向所述检测探头施加激励电压，所述检测探头根据所述激励电压感应所述第一膜层和所述第二膜层的所述电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块;具体包括：[0026]所述驱动模块向所述第一数据线施加所述激励电压，使所述第一电极分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生所述激励电容；[0027]所述第二电极感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第二数据线将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；[0028]所述驱动模块向所述第二数据线施加所述激励电压，使所述第二电极分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生所述激励电容；[0029]所述第一电极感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第一数据线将所述电压变化的数据提供给所述处理模块。[0030]本发明实施例提供的上述检测探头、套合精度检测装置及其检测方法，该检测探头用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；包括:设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极;所述第一数据线与所述第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，所述第一电极与所述第二电极位于所述电极区域且交替排列;其中，所述第一电极与所述第一数据线相连，所述第二电极与所述第二数据线相连;通过各数据线和电极的设置，与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并通过检测第一膜层和第二膜层的电压变化确定该第一膜层和第二膜层的边界，从而确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差，该种检测方式的准确率得到了很大的提高，有利于保证阵列基板中各膜层的精确对位。附图说明[0031]图1a-1d为现有技术中对阵列基板上的膜层进行构图过程的结构示意图；[0032]图2为在现有制备工艺中第一对位点于第二对位点存在偏差的原理结构示意图；[0033]图3为本发明实施例提供的检测探头中各电极排列结构示意图之一；[0034]图4为本发明实施例提供的检测探头中各电极排列结构示意图之二；[0035]图5为本发明实施例提供的检测探头中各电极排列结构示意图之三；[0036]图6为本发明实施例提供的检测探头相对于预设检测区域内第一膜层和第二膜层相对位置的结构示意图；[0037]图7为本发明实施例提供的套合精度检测装置的结构示意图之一；[0038]图8为本发明实施例提供的套合精度检测装置的结构示意图之二；[0039]图9为本发明实施例提供的套合精度检测装置的检测方法的流程图之一；[0040]图10为本发明实施例提供的套合精度检测装置的检测方法的流程图之二。具体实施方式[0041]在对阵列基板上的各膜层进行构图时，需要利用掩膜版进行曝光、显影、刻蚀等步骤，具体如图la所示，在对设置在衬底基板1〇上的金属层11进行构图时，需要在金属层11上设置一层光刻胶12,利用如图lb所示的掩膜版20对阵列基板上的待曝光区域A进行曝光，然后如图lc所示，对光刻胶进行显影，去除部分光刻胶，对未覆盖光刻胶的部位进行刻蚀，以形成如图Id所示的金属层11的图形，完成对金属层11的构图，其中，本实施例是采用正性光刻胶进行说明的，还可以采用负性光刻胶进行刻蚀，在此不作具体限定。[0042]在现有的工艺中，如图2所示，经过显影以后保留的部分光刻胶12的第二对位点121与金属层11的第一对位点111是存在一定偏差的，该偏差量需要保持在预设范围内才能对金属层11进行刻蚀，以形成符合尺寸偏差要求的金属层的图形;如该偏差超出了预设范围则需要重新执行上述实施例中的步骤对金属层进行构图。因此，如何对该偏差进行检测，判断该偏差在预设的范围内显得尤为重要。现有技术中对套合精度进行检测的设备为光学检测设备，即利用摄像头拍摄显影后的阵列基板的图像，根据该图像抓取关键线宽和套合精度的偏移量，但是，该种检测方式的检测精度较低，存在的偏差量较大，不能满足阵列基板对位精度的要求。[0043]针对现有技术中存在的上述问题，本发明实施例提供了一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法。为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的检测探头、套合精度检测装置及其检测方法的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。[0044]附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。[0045]具体地，本发明实施例提供了一种检测探头，用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，第一膜层与第二膜层的材质不同；如图3至图5所示，该检测探头包括:设置在基板上的第一数据线Data1、第二数据线Data2、第一电极31和第二电极32;[0046]第一数据线Data1与第二数据线Data2绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，第一电极31与第二电极32位于电极区域且交替排列；[0047]其中，第一电极31与第一数据线Data1相连，第二电极32与第二数据线Data2相连；[0048]在第一阶段，第一数据线Data1用于接收激励电压，将激励电压提供给第一电极31，第一电极31与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，第二电极32用于感应第一膜层和第二膜层的电压变化，并通过第二数据线Data2将电压变化的数据输出；[0049]在第二阶段，第二数据线Data2用于接收激励电压，将激励电压提供给第二电极32,第二电极32与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，第一电极31用于感应第一膜层和第二膜层的电压变化，并通过第一数据线Data1将电压变化的数据输出。[0050]本发明实施例提供的上述检测探头用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，第一膜层与第二膜层的材质不同;包括:设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极;第一数据线与第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，第一电极与第二电极位于电极区域且交替排列;其中，第一电极与第一数据线相连，第二电极与第二数据线相连;通过各数据线和电极的设置，与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并通过检测第一膜层和第二膜层的电压变化确定该第一膜层和第二膜层的边界，从而确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差，该种检测方式的准确率得到了很大的提高，有利于保证阵列基板中各膜层的精确对位。[0051]具体地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，如图6所示，在对阵列基板的预设检测区域进行检测时，使检测探头中的第一电极31和第二电极32完全覆盖预设检测区域内的第一膜层11和第二膜层I2,首先向第一数据线Data1施加激励电压，以将激励电压施加到第一电极31上，使第一电极31与阵列基板预设检测区域内的第一膜层U和第二膜层12产生激励电容，第一膜层11和第二膜层I2的电压产生变化，此时未向第二电极32施加激励电压，第二电极32处于浮接状态，第二电极32与第一膜层11和第二膜层12产生感应电容，由于第一膜层11和第二膜层12的材质不同（即电容的介质不同），在第二膜层12所在区域内的第二电极32所产生的感应电压与在非第二膜层所在区域内第二电极32产生的感应电压并不相同，因此可以根据检测探头中第二电极32的电压变化的数据确定第一膜层丨丨和第二膜层12的边界，根据第一膜层11和第二膜层12的边界确定第一对位点lu与第二对位点121之间的偏差;然后再向第二数据线Data2施加激励电压，以将该激励电压施加到第二电极32上，第二电极32与阵列基板预设检测区域内的第一膜层U和第二膜层12产生激励电容，此时未向第一电极31施加激励电压，第一电极31处于浮接状态，第一电极3i与第一膜层H和第二膜层12产生感应电容，并将第一电极31感应到的与第一膜层11和第二膜层12的电压变化数据，因此可以根据检测探头中第一电极31的电压变化的数据确定第一膜层^和第二膜层12的边界，根据第一膜层11和第二膜层12的边界确定第一对位点hi与第二对位点112之间的偏差;通过上述方式完成对整个预设检测区域的检测，可以确定出第一膜层丨丨和第二膜层12的完整的边界数据，并根据的第一膜层11的边界数据确定第一对位点丨丨丨的位置，根据第二膜层12的边界数据确定第二对位点121的位置，从而根据第一对位点m的位置和第二对位点121的位置确定出第一对位点111与第二对位点121之间的偏差。[0052]需要说明的是，在本发明实施例提供的上述检测探头中，以先向第一数据线施加激励电压，再向第二数据线施加激励电压为例进行说明的，在具体实施时，也可以先向第二数据线施加激励电压再向第一数据线施加激励电压，其施加激励电压的顺序可根据实际使用情况进行选择，在此不做具体限定。除此之外，向第一数据线施加的激励电压与向第二数据线施加的激励电压，可以是相同的电压也可以为不同的电压，在此不作具体限定。[0053]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，如图5所示，在第一数据线Data1和第二数据线Data2的延伸方向上第一电极31与第二电极32均交替排列。[0054]具体地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，可以是如图3所示，第一电极31与第二电极32沿第二数据线Data2的延伸方向交替排列，也可以是如图4所示，第一电极31与第二电极32沿第一数据线Data1的延伸方向交替排列，也可以是如图5所示，在第一数据线Data1和第二数据线Data2的延伸方向上第一电极31与第二电极32均交替排列。图5所示的第一电极31和第二电极32的排列方式中，第一电极31与第二电极32的分布区域较图4和图5所示的方式更加的均匀，便于与阵列基板上的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并对数据进行采集，可以使对第一对位点和第二对位点识别更加的准确，当然第一电极与第二电极的几种排列方式均能实现对预设检测区域的第一对位点和第二对位点的偏差进行测量，在具体使用的过程中根据使用情况进行选择，在此不作具体限定。[0055]具体地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，还包括:绝缘层，绝缘层设置在第一数据线与第二数据线之间。[0056]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，该绝缘层可以是整面设置的，也可以仅设置在第一数据线与第二数据线存在交叠区域内，在此不作具体限定。[0057]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，第一电极与第一数据线同层设置。[0058]其中，第一电极是与第一数据线相连的，将第一电极与第一数据线同层设置，可以减少连接过孔的设置，减少了制备工艺，节约了生产成本。_[0059]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，第二电极与第二数据线同层设置。[0060]其中，第二电极是与第二数据线相连的，将第二电极与第二数据线同层设置，可以减少连接过孔的设置，减少了制备工艺，节约了生产成本。[0061]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，检测探头的面积可以与预设检测区域的面积相等，即呈阵列排布的第一电极和第二电极完全覆盖预设检测区域。[0062]可选地，在本发明实施例提供的上述检测探头中，检测探头的面积可以小于预设检测区域的面积，即检测探头内设置的呈阵列排布的第一电极和第二电极仅覆盖部分预设检测区域，此时检测探头在对预设检测区域进行检测时，需要按照预设轨迹进行移动，以完成对整个预设检测区域的检测。[0063]当检测探头能够完全覆盖预设检测区域时，检测探头在进行检测时相对于预设的检测区域静止即可以完成整个检测过程，该种方式可以减少移动轨迹的设计，并可以减少相应的计算量；当检测探头的面积小于预设检测区域的面积时，检测探头在对预设检测区域进行检测时需要按照预设轨迹进行移动，才能完成整个检测过程，该种方式检测探头相对较小，可以减少电极的设置，节约成本，并且灵活度高，可应用的场景较多。在实际使用过程中采用何种方式进行检测，根据实际使用情况进行选择，在此不作具体限定。[0064]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种套盒精度检测装置，如图7所示，包括上述任一实施例提供的检测探头3、处理模块1和驱动模块2;[0065]检测探头3位于预设检测区域41上方，用于分别与预设检测区域41内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并感应预设检测区域41内第一膜层和第二膜层的电压变化的数据，并将电压变化的数据提供给处理模块1;[0066]驱动模块2用于向检测探头3施加激励电压；[0067]处理模块1用于接收电压变化的数据，根据电压变化的数据确定在预设检测区域41内第一膜层的边界和第二膜层的边界，并根据第一膜层的边界与第二膜层的边界确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差。[0068]在具体实施时，如图7所示，阵列基板4上包括多个预设检测区域41，可以通过套合精度检测装置多次对阵列基板4上的多个预设检测区域41进行检测，直至完成对整个阵列基板4的检测，也可以对重要位置的预设检测区域41进行抽检，具体如何利用套合精度检测装置进行检测根据实际使用情况进行选择，在此不作具体限定。[0069]可选地，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置中，第一数据线和第二数据线均与驱动模块和处理模块相连。_[0070]可选地，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置中，如图8所示，还包括:数据传输模块5;[0071]数据传输模块5用于将检测探头3感应的电压变化的数据提供给处理模块1。[0072]具体地，该数据传输模块可以是有线传输模块，例如接口和数据线等，还可以是无线传输模块，根据具体使用情况进行选择，在此不作具体限定。[0073]该套合精度检测装置的检测原理己经在本发明上述实施例提供的检测探头中进行了具体的阐述，该套合精度检测装置的具体实施可以参见上述检测探头的实施例，重复之处不再赘述。[0074]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种套合精度检测装置的检测方法，如图9所示，包括：[0075]S901、驱动模块向检测探头施加激励电压，检测探头根据激励电压感应第一膜层和第二膜层的电压变化的数据，并将电压变化的数据提供给处理模块；[0076]S902、处理模块根据电压数据的变化确定第一膜层和第二膜层的边界，并根据第一膜层的边界和第二膜层的边界确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差。[0077]可选地，在本发明实施例提供的上述套合精度检测装置的检测方法中，如图1〇所示，驱动模块向检测探头施加激励电压，检测探头根据激励电压感应第一膜层和第二膜层的电压变化的数据，并将电压变化的数据提供给处理模块;具体包括：[0078]S1001、驱动模块向第一数据线施加激励电压，使第一电极分别与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容；[0079]S1002、第二电极感应第一膜层和第二膜层的电压变化，并通过第二数据线将电压变化的数据提供给处理模块；[0080]S1003、驱动模块向第二数据线施加激励电压，使第二电极分别与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容；[0081]S1004、第一电极感应第一膜层和第二膜层的电压变化，并通过第一数据线将电压变化的数据提供给处理模块。_[0082]其中，在执行上述检测方法时，可以先执行步骤S1001和S1002,再执行步骤S1003和S1004;也可以先执行步骤S1003和S1004,再执行步骤S1001和S10〇2,对其具体执行步骤的顺序不作具体限定。[0083]该套合精度检测装置的检测方法的原理已经在本发明上述实施例提供的套合精度检测装置中进行了具体的阐述，该套合精度检测装置的检测方法的实施可以参见上述套合精度检测装置的实施例，重复之处不再赘述。[0084]本发明实施例提供的上述检测探头、套合精度检测装置及其检测方法，该检测探头用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；包括:设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极;所述第一数据线与所述第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，所述第一电极与所述第二电极位于所述电极区域且交替排列;其中，所述第一电极与所述第一数据线相连，所述第二电极与所述第二数据线相连;通过各数据线和电极的设置，与预设检测区域内的第一膜层和第二膜层产生激励电容，并通过检测第一膜层和第二膜层的电压变化确定该第一膜层和第二膜层的边界，从而确定第一膜层的第一对位点与第二膜层的第二对位点之间的偏差，该种检测方式的准确率得到了很大的提高，有利于保证阵列基板中各膜层的精确对位。[0085]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

权利要求：1.一种检测探头，用于检测在阵列基板制备过程中预设检测区域内上下相邻的第一膜层与第二膜层之间的对位精度，其中，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；其特征在于，包括:设置在基板上的第一数据线、第二数据线、第一电极和第二电极；所述第一数据线与所述第二数据线绝缘交叉设置且限定多个呈阵列排布的电极区域，所述第一电极与所述第二电极位于所述电极区域且交替排列；其中，所述第一电极与所述第一数据线相连，所述第二电极与所述第二数据线相连；在第一阶段，所述第一数据线用于接收激励电压，将所述激励电压提供给所述第一电极，所述第一电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第二电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第二数据线将所述电压变化的数据输出；在第二阶段，所述第二数据线用于接收所述激励电压，将所述激励电压提供给所述第二电极，所述第二电极与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，所述第一电极用于感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第一数据线将所述电压变化的数据输出。2.如权利要求1所述的检测探头，其特征在于，在所述第一数据线和所述第二数据线的延伸方向上所述第一电极与所述第二电极均交替排列。3.如权利要求1所述的检测探头，其特征在于，还包括:绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一数据线与所述第二数据线之间。4.如权利要求1所述的检测探头，其特征在于，所述第一电极与所述第一数据线同层设置。5.如权利要求1所述的检测探头，其特征在于，所述第二电极与所述第二数据线同层设置。6.一种套合精度检测装置，其特征在于，包括如权利要求1_5任一项所述的检测探头、处理模块和驱动模块；所述检测探头位于所述预设检测区域上方，用于分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生激励电容，并感应所述预设检测区域内所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；所述驱动模块用于向所述检测探头施加激励电压；所述处理模块用于接收所述电压变化的数据，根据所述电压变化的数据确定在所述预设检测区域内所述第一膜层的边界和所述第二膜层的边界，并根据所述第一膜层的边界与所述第二膜层的边界确定所述第一膜层的第一对位点与所述第二膜层的第二对位点之间的偏差。7.如权利6所述的套合精度检测装置，其特征在于，所述第一数据线和所述第二数据线均与所述驱动模块和所述处理模块相连。8.如权利6所述的套合精度检测装置，其特征在于，还包括:数据传输模块；所述数据传输模块用于将所述检测探头感应的所述电压变化的数据提供给所述处理模块。9.—种如权利要求6-8任一项所述的套合精度检测装置的检测方法，其特征在于，包括：所述驱动模块向所述检测探头施加激励电压，所述检测探头根据所述激励电压感应所述第一膜层和所述第二膜层的所述电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；所述处理模块根据所述电压数据的变化确定所述第一膜层和所述第二膜层的边界，并根据所述第一膜层的边界和所述第二膜层的边界确定所述第一膜层的第一对位点与所述第二膜层的第二对位点之间的偏差。10.如权利要求9所述的套合精度检测装置的检测方法，其特征在于，所述驱动模块向所述检测探头施加激励电压，所述检测探头根据所述激励电压感应所述第一膜层和所述第二膜层的所述电压变化的数据，并将所述电压变化的数据提供给所述处理模块;具体包括：所述驱动模块向所述第一数据线施加所述激励电压，使所述第一电极分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生所述激励电容；所述第二电极感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第二数据线将所述电压变化的数据提供给所述处理模块；％所述驱动模块向所述第二数据线施加所述激励电压，使所述第二电极分别与所述预设检测区域内的所述第一膜层和所述第二膜层产生所述激励电容；，所述第一电极感应所述第一膜层和所述第二膜层的电压变化，并通过所述第一数据线将所述电压变化的数据提供给所述处理模块。

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 一种检测探头、套合精度检测装置及其检测方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD