申请/专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN111430243A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101);H01L21/266(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.16#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；提供第一光刻版，通过第一光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗，注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第二光刻版，通过第二光刻版对多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗，注入第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子；提供第三光刻版，进行刻蚀以形成接触孔，并透过接触孔在第二导电类型阱中注入高浓度第二导电类型离子；填充接触孔，形成半导体器件。本发明制造半导体器件的工艺，降低了成本。

主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成深阱、定义有源区及沉积多晶硅；提供第一光刻版，通过所述第一光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一注入窗；通过所述第一注入窗注入第一导电类型离子，以形成第一导电类型阱，并在所述第一导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成漏区；提供第二光刻版，通过所述第二光刻版对所述多晶硅进行刻蚀，形成第二注入窗；通过所述第二注入窗中注入所述第二导电类型离子，以形成第二导电类型阱，并在所述第二导电类型阱中注入高浓度第一导电类型离子，以形成源区；提供第三光刻版，用以对所述源区、所述漏区进行刻蚀以形成接触孔，并透过所述接触孔在所述第二导电类型阱中注入高浓度第二导电类型离子；填充所述接触孔，以形成所述半导体器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杰华特微电子(杭州)有限公司 半导体器件的制造方法及半导体器件

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