申请/专利权人：友达光电股份有限公司

申请日：2017-12-12

公开（公告）日：2020-07-17

公开（公告）号：CN108109952B

主分类号：H01L21/687(20060101)

分类号：H01L21/687(20060101);G03F7/00(20060101)

优先权：["20171018 TW 106135572"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.17#授权;2018.06.26#实质审查的生效;2018.06.01#公开

摘要：本发明提供一种微拾取阵列及其制造方法。该微拾取阵列，用以拾取微型元件。微拾取阵列包括基板、拾取结构以及软性高分子层。拾取结构位于基板上。拾取结构包括固化的感光材料。软性高分子层覆盖拾取结构。本发明具有拾取结构，能够提升微拾取阵列拾取元件的对位精准度。

主权项：1.一种微拾取阵列，其特征在于，用以拾取微型元件，所述微拾取阵列包括：一基板；一拾取结构，位于该基板上，该拾取结构是由一感光材料所组成；以及一软性高分子层，覆盖该拾取结构，该软性高分子层共形于该拾取结构；其中，该拾取结构中具有包覆而提取一拾取元件的一凹槽，且该软性高分子层填入该凹槽中。

全文数据：微拾取阵列及其制造方法技术领域[0001]本发明是有关于一种微拾取阵列，且特别是有关于一种包括拾取结构的微拾取阵列及其制造方法。背景技术[0002]目前，晶圆（Wafer在执行单分制造工艺以形成多个晶粒Die以后，通常会使用微拾取阵列拾取这些分离的晶粒，并将这些晶粒转移到欲放置的地方。随着技术的进步，同样面积的晶圆上可以制造出越来越密集的晶粒，这使得拾取阵列也必须作的越来越精密，才可以准确的对准这些晶粒。[0003]一般而言，是将高分子材料倒入模具中，等高分子材料固化以后便能制造出微拾取阵列。然而，以这种方法制造的微拾取阵列，在脱模的时候容易因为应力的影响而产生变形形变），使得微拾取阵列的精准度下降，位置偏差量约1100,因此没办法准确的对准每个欲拾取的元件。此外，以这种方法制造的微拾取阵列要使用厚度非常厚的高分子材料层，所以需要很长的时间来固化。因此，目前亟需一种能解决前述问题的方法。发明内容[0004]本发明提供一种微拾取阵列及其制造方法，具有拾取结构，以提升微拾取阵列拾取元件的对位精准度。[0005]本发明实施例提供一种微拾取阵列，用以拾取微型元件。微拾取阵列包括基板、拾取结构以及软性高分子层softpolymer。拾取结构位于基板上。拾取结构是由感光材料所组成。软性高分子层覆盖拾取结构。[0006]本发明实施例还提供一种微拾取阵列的制造方法。该方法包括:提供基板;于基板上形成拾取结构，拾取结构包括感光材料;于拾取结构上形成软性高分子层。[0007]基于上述，微拾取阵列具有拾取结构。由于拾取结构是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列拾取元件的对位精准度。此外，拾取结构可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。附图说明[0008]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。[0009]图1是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。[0010]图2A〜图2F是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法示意图。[0011]图3A〜图3C是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。[0012]图4是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。^、。[0013]图5是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示I；图。°LOOM」图6是依照本友明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。[0015]图7A〜图7D是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。[0016]图8A〜图8D是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。[0017]图9A、图9B是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。[0018]符号说明：[0019]1、100、200、200A、300、400、500、600、700:微拾取阵列[0020]10、110、210,、210八、310、410、510:拾取结构[0021]112、112’、114、114’、210:感光材料[0022]20、120、220、220A、320、420、520,、520A’：软性高分子层[0023]520、520A、520B:软性高分子材料[0024]L:光线[0025]D:微型元件[0026]W:晶圆[0027]M:模具[0028]MP:凸出部[0029]MS1、MS2:掩膜版[0030]BS:基板[0031]TS:转印基板[0032]0P1、0P2、0P2A、0P3:凹槽[0033]01、02、03、04、C:开口[0034]W1、W2、W3:宽度[0035]S1、S2、S3:光掩膜[0036]HS:半调式掩膜版[0037]HS1:半调式区[0038]H1、T1、T2、T3、T4:厚度[0039]H2:深度具体实施方式[0040]本文使用的“约”、“近似”或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量卿，测量系统的限制）。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30%、±20%、±1〇%、±5%内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。[0041]除非另有定义，本文使用的所有术语包括技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。[0042]图1是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。[0043]微拾取阵列1包括基板BS、拾取结构10以及软性高分子层20。拾取结构10位于基板BS上。拾取结构10包括固化的感光材料，在一实施例中，前述固化的感光材料可为透明材料。软性高分子层20覆盖拾取结构10。在一实施例中，微拾取阵列1，用以拾取晶圆w上的微型元件D例如是微型晶粒），然而本发明不以此为限。在其他实施例中，微拾取阵列丨也可以用来拾取其他微型元件，例如:微型发光元件、微型晶体管、微型控制电路或其它合适的微型元件。其中，微型的尺寸小于100微米，较佳地，小于60微米。[0044]在一实施例中，当微拾取阵列1压上微型元件D时，微拾取阵列1表面的软性高分子层20会往内凹陷，使软性高分子层2〇与微型元件D之间产生一定的范德瓦尔兹引力。在一实施例中，藉由控制微拾取阵列1的移动速度，可以选择是要拾取微型元件D或是放置微型元件D。在一实施例中，藉由微拾取速度快慢而形成共形接触Conformal-Contact的程度不同，进而控制拾取或放下微型元件D。[0045]图2A〜图2F是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法示意图。在此必须说明的是，图2A〜图2F的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0046]请先参考图2A，提供基板BS。基板BS的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料。于基板BS上形成感光材料112，形成感光材料1的方法例如包括旋转涂布制造工艺。在本实施例中，感光材料112可包括负型光阻剂，例如包括负型光阻树脂、溶剂Solvent与其他物质，例如:颜料、感光起始剂、单体以及添加剂的其中至少一种。于其他实施例中，感光材料112也可包括正型光阻剂PositivePhotoresist，例如包括正型光阻树脂、溶剂So1vent与其他物质，例如:颜料、感光起始剂、单体以及添加剂的其中至少一种。在一实施例中，涂布感光材料112以后会进行软烤制造工艺，以移除感光材料112中多余的溶剂。此举可以改善基板BS上感光材料112的均匀性与附着性。[0047]接着请参考图2B，于感光材料112上提供掩膜版MSI，且其包含光掩膜S1与开口01。光线L例如是UV光）穿过掩膜版MSI的开口01而照射在感光材料112上。以光线!^照射感光材料112之后，还会进行曝后烤制造工艺，提高感光材料H2曝光的部分与未曝光的部分的物性差异，提升后续显影制造工艺的良率。[0048]接着请参考图2C，进行显影制造工艺。在本实施例中，感光材料丨丨2以负型光阻剂为范例，感光材料II2被光线L照射到的部分会产生交联反应，变成交联度较高的感光材料112’。在进行显影制造工艺以后，交联度较高的感光材料112’会留下来，感光材料112交联度较低的部分则会被洗去。于其它实施例中，若感光材料112为正型光阻剂，感光材料ii2被光线L照射到的部分会产生裂解反应，变成交联度较低的感光材料丨^。在进行显影制造工艺以后，未被光线L照到的感光材料例如:交联度较高的感光材料）112’会留下来，而被光线L照到的感光材料112的部份例如:感光材料112交联度较低的部分则会被洗去。[0049]在一实施例中，进行显影制造工艺以后，还会对感光材料112,进行硬烤制造工艺，提高固化的感光材料112’的硬度。[0050]接着请参考图2D，在感光材料112’以及基板BS上形成另一层感光材料114。感光材料114例如与感光材料112类似。在一实施例中，涂布感光材料114以后也会进行软烤制造工艺。[0051]接着于感光材料114上提供掩膜版MS2，且其包含光掩膜S2、开口02以及开口03。光线L例如是UV光）穿过掩膜版MS2的开口02以及开口〇3而照射在感光材料114上。在一实施例中，以光线L照射感光材料114之后，还会进行曝后烤制造工艺，提高感光材料114曝光的部分与未曝光的部分的物性差异，提升后续显影制造工艺的良率。[0052]接着请参考图2E，进行显影制造工艺。在本实施例中，感光材料丨14以负型光阻剂为范例，因此，感光材料114被光线L照射到的部分会产生交联反应，形成交联度较高的感光材料114’。在进行显影制造工艺以后，交联度较高的感光材料114’会留下来，交联度较低的感光材料114则会被洗去。于其它实施例中，若感光材料iM为正型光阻剂，感光材料丨14被光线L照射到的部分会产生裂解反应，变成交联度较低的感光材料H4。在进行显影制造工艺以后，未被光线L照到的感光材料例如:交联度较高的感光材料）114’会留下来，而被光线L照到的感光材料114的部份例如:感光材料114交联度较低的部分则会被洗去。于本实施例中，感光材料112’、114’亦可使用多灰阶掩膜版half-tonemask，于同一道光刻制造工艺中形成。其中，多灰阶掩膜版可参阅图3A所示。[0053]在一实施例中，进行显影制造工艺以后，还会对感光材料114’进行硬烤制造工艺，提高固化的感光材料114’的硬度。[0054]在本实施例中，拾取结构110包括感光材料112’以及感光材料114’。在一实施例中，感光材料114’的宽度W2小于感光材料112’的宽度W1，且拾取结构110外侧的侧面为阶梯状，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，感光材料114’的宽度约等于感光材料112’的宽度，且感光材料114’与感光材料112’的侧面切齐。在一实施例中，感光材料112’的宽度W1、W2约介于10微米wn与1000微米um之间。[0055]在一实施例中，拾取结构110具有凹槽0P1。凹槽0P1的宽度W3约介于5微米与100微米之间，然可依照拾取元件D的实际大小做调整。拾取元件D在被拾取结构110拾取时，较佳地，拾取元件D是被凹槽0P1包覆而提取。在一实施例中，拾取结构110的厚度H1与凹槽0P1的深度H2约介于5微米与2〇微米之间，然可依照拾取元件D的实际大小做调整。在本实施例中，凹槽0P1的深度H2约等于感光材料114’的厚度。在其他实施例中，凹槽0P1的深度H2可大于或小于感光材料114’的厚度。[0056]在本实施例中，微拾取阵列100是由多个拾取结构110所阵列排列而成。由于是利用光刻制造工艺来制造拾取结构110,因此，拾取结构110可以具有较佳的对准精度，例如约11000000的位置偏差量。因此，加大微拾取阵列100的面积时对准精度不会大幅下降，即微拾取阵列1〇〇转置拾取微型元件D的数量可增加，因而可大幅增加产品的良率与拾取微型元件D的转置速率。[0057]接着请参考图即，于拾取结构110上形成软性高分子层120。在本实施例中，软性高分子层120共形于拾取结构110,且软性高分子层120填入拾取结构110的凹槽0P1中。在一实施例中，软性高分子层120可填满整个凹槽0P1。[0058]在一实施例中，形成软性高分子层120的方式例如包括先以涂布（例如为旋转涂布或印刷的方式于拾取结构110上形成软性高分子材料，接着再加热软性高分子材料，使软性高分子材料固化成软性高分子层。在一些实施例中，软性高分子层120的材料例如包括聚二甲基硅氧烷、橡胶或其它合适的材料。[0059]在一实施例中，软性高分子层120在凹槽0P1以外的部分的厚度T1可约为5〜50微米wn。在一实施例中，软性高分子层120对应凹槽0P1的部分的厚度T2约介于10微米与50微米之间。在一实施例中，凹槽OP1是用来对应欲拾取的元件例如图1中的微型元件D的位置，填入凹槽0P1中的软性高分子层120具有较厚的厚度T2,因此，能增加下压微拾取阵列100时的制造工艺容忍度，使微拾取阵列100比较不容易因为下压过度而伤害到欲拾取的微型元件D。[0060]基于上述，本实施例的微拾取阵列100具有拾取结构110。由于拾取结构110是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构110不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列拾取微型元件的对位精准度。此外，拾取结构110可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的元件之外，还能节省大量的固化时间。[0061]图3A〜图3C是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。在此必须说明的是，图3A〜图3C的实施例沿用图2A〜图2F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0062]图3A〜图3C的实施例与图2A〜图2F的实施例的主要差异在于：图3A〜图3C的实施例中，感光材料210包括正型光阻剂。[0063]请先参考图3A，于基板BS上形成感光材料210,形成感光材料210的方法例如包括旋转涂布制造工艺。在本实施例中，感光材料210可包括正型光阻剂，例如包括正型光阻树月旨、溶剂SoWent与其它物质，例如:颜料、感光起始剂、单体、以及添加剂的其中至少一种。在一实施例中，涂布感光材料210以后还会进行软烤制造工艺，以移除感光材料210中多余的溶剂。此举可以改善基板BS上感光材料210的均匀性与附着性。[00M]于感光材料210上提供半调式掩膜版HS，且其可包含光掩膜S3、开口04以及位于光掩膜S3与开口04间具有至少一种透光度的区域，例如:半调式区HS1。光线L被光掩膜S3给遮住。开口04不会遮住光线L，且半调式区HS1并不会完全遮住光线L。部分的光线L可以分别透过开口04与半调式区HS1而照射在感光材料210上。在一实施例中，以光线L照射感光材料210之后，还会进行曝后烤制造工艺，提高感光材料210曝光的部分与未曝光的部分的物性差异，提升后续显影制造工艺的良率。[0065]接着请参考图3B，在本实施例中，由于感光材料210包括正型光阻剂，因此感光材料21〇被光线L照射到的部分会断键成交联度较低的感光材料，交联度较低的感光材料210在显影制造工艺中会被去除，并留下交联度相对较高的感光材料210。在本实施例中，留下来的感光材料210即为拾取结构210’。于部份实施例中，感光材料210也可包含负光阻剂，其相关描述与原理，可参阅前述。[0066]在一实施例中，进行显影制造工艺以后，还会对拾取结构210’进行硬烤制造工艺，提高固化的拾取结构210’的硬度。[0067]在本实施例中，拾取结构210’包括藉由半调式区HS1所定义出来的第一区块212以及藉由光掩膜S3所定义出来的第二区块214。在本实施例中，第二区块214的高度高于第一区块212的高度。第二区块214可环绕部分的第一区块212,并定义出凹槽0P2。[0068]接着请参考图冗，于拾取结构210’上形成软性高分子层220。在本实施例中，软性高分子层220覆盖拾取结构210’，且填入感光材料210’的凹槽0P2中。由于拾取结构210’外侧为阶梯状，因此可以减缓软性高分子层220因为爬坡造成覆盖感光材料210’不佳。[0069]基于上述，本实施例的微拾取阵列200具有拾取结构21〇’。由于拾取结构210’是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构210’不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列200拾取微型元件的对位精准度。此外，拾取结构210’可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0070]图4是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3A〜图％的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0071]图4的实施例与图3A〜图3C的实施例的主要差异在于：图4的拾取结构210A的凹槽OP2A的深度与图3C的拾取结构210’的凹槽OP2的深度不同。[0072]在本实施例中，拾取结构210A的凹槽OP2A贯穿拾取结构210A，并暴露出基板BS的部分上表面。软性高分子层220A填入凹槽OP2A并与基板BS直接接触。在一实施例中，拾取结构210A的原料例如包括正型光阻剂或负型光阻剂。[0073]基于上述，本实施例的微拾取阵列200A具有拾取结构210A。由于拾取结构210A是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构210A不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列200A拾取微型元件的对位精准度。此外，微拾取阵列2〇〇a可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0074]图5是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图2A〜图2F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0075]图5的实施例与图2F的实施例的主要差异在于：图5的拾取结构310的形状与图2F的拾取结构110的形状不同。[0076]在本实施例中，拾取结构310包括感光材料312以及位于感光材料312上的感光材料314。感光材料312夹在感光材料314与基板BS之间。在本实施例中，感光材料314的宽度小W2于感光材料312的宽度W1。在其他实施例中，感光材料314的宽度约等于感光材料312的宽度。在一实施例中，拾取结构310的原料例如包括正型光阻剂或负型光阻剂。感光材料312、314可于同一道光刻制造工艺形成或不同道光刻制造工艺形成。[0077]在本实施例中，拾取结构310不具有凹槽，软性高分子层320共形于拾取结构310。[0078]基于上述，本实施例的微拾取阵列3〇0具有拾取结构310。由于拾取结构310是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构310不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列300拾取微型元件的对位精准度。此外，微拾取阵列3〇〇可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0079]图6是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图3A〜_图3C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[00S0]图6的实施例与图3C的实施例的主要差异在于：图6的拾取结构410外侧的表面为连续面而非阶梯状。[0081]在一实施例中，拾取结构410的原料例如包括正型光阻剂或负型光阻剂。在一实施例中，拾取结构410的原料是负型光阻剂，且可以在一次光刻制造工艺中完成，能减少拾取结构410的生产时间。在本实施例中，拾取结构410外侧的表面为连续面。在一实施例中，拾取结构410的宽度W2实质上为均一的宽度。软性高分子层420共形于拾取结构410。[0082]基于上述，本实施例的微拾取阵列400具有拾取结构410。由于拾取结构410是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构410不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列拾取微型元件的精准度。此外，微拾取阵列400可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精密的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0083]图7A〜图7D是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。在此必须说明的是，图7A〜图川的实施例沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0084]请先参考图7A，于基板BS上形成拾取结构410,形成拾取结构410的方法例如包括光刻制造工艺。[0085]请参考图7B与图7C，将软性高分子材料520涂布于转印基板TS上，涂布软性高分子材料520的方法例如为包括旋转涂布制造工艺。在一实施例中，转印基板TS上的软性高分子材料520的厚度T3例如约介于10微米与300微米之间。[0086]用拾取结构410沾转印基板TS上的软性高分子材料520。部分的软性高分子材料52〇A会附着于拾取结构410上，并在转印基板TS上留下另一部分的软性高分子材料520B。[0087]在本实施例中，由于拾取结构410是以上表面面对转印基板TS来接触软性高分子材料520,因此，拾取结构410只会有上表面以及一部分的侧面会沾到软性高分子材料520。故，部分的软性高分子材料52〇A不会完全覆盖拾取结构410的侧面。[0088]请参考图川，进行烘烤制造工艺。在一些实施例中，烘烤制造工艺是在温度，例如：约6〇度至18〇度之间进行。在一些实施例中，烘烤制造工艺进行时间，例如:约10分钟至24小时。在进行烘烤制造工艺以后，拾取结构410上的软性高分子材料520A会固化为软性高分子层52〇A’。在一些实施例中，软性高分子层520A’的厚度T4约介于1〇微米与50微米之间。[0089]基于上述，本实施例的微拾取阵列5〇0具有拾取结构410。由于拾取结构410是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构410不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列2〇〇拾取微型元件的对位精准度。此外，微拾取阵列5〇〇可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0090]图8A〜图8D是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。在此必须说明的是，图8A〜图即的实施例沿用图2A〜图2F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0091]请参考图8A，于基板BS上形成拾取结构510,形成拾取结构510的方法例如包括光刻制造工艺。在本实施例中，拾取结构510具有凹槽0P3。[0092]请参考图部，以涂布的方式于拾取结构51〇上形成软性高分子材料520,且软性高分子材料52〇填入拾取结构510的凹槽OP3中。在一实施例中，软性高分子材料520还形成于基板BS上。[0093]请参考图8C与8D，将模具M压在基板BS上。模具M包括对应拾取结构510的开口04。在一实施例中，模具M与基板BS接触，然而模具M不与拾取结构510接触。在一实施例中，模具M与基板BS接触的部分为凸出部MP，基板BS大部分的表面都不会与模具M接触。因此，部分的软性高分子材料520会沿着基板BS的表面延伸。[0094]进行烘烤制造工艺以加热软性高分子材料520,使软性高分子材料520固化成软性高分子层520’。在一实施例中，软性高分子材料520是在模具M中加热。在一实施例中，软性高分子层520’对应模具M的凸出部MP的部分具有开口C。[0095]基于上述，本实施例的微拾取阵列600具有拾取结构510。由于拾取结构510是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构510不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列600拾取元件的对位精准度。此外，微拾取阵列600可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的元件之外，还能节省大量的固化时间。[0096]图9A、图9B是依照本发明的一实施例的一种微拾取阵列的制造方法的示意图。在此必须说明的是，图9A、图9B的实施例沿用图8A〜图8D的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。[0097]图⑽、图9B的实施例与图8A〜图8D的实施例的主要差异在于：图9A、图9B的实施例中，模具M不具有凸出部MP。[0098]请参考图9A与图9B，在本实施例中，模具M不接触拾取结构510,而基板BS上不具有拾取结构510的位置，大部分都会与模具M直接接触。因此，加热软性高分子材料520后所获得的软性高分子层5加’只出现在对应拾取结构510的位置，不会沿着基板BS的表面延伸。[00"]基于上述，本实施例的微拾取阵列700具有拾取结构510。由于拾取结构510是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构510不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列700拾取微型元件的对位精准度。此外，微拾取阵列700可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精细的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。[0100]综上所述，本发明的微拾取阵列具有拾取结构。由于拾取结构是藉由光刻制造工艺所形成，因此拾取结构不容易在制造过程中产生变形，能提升微拾取阵列拾取微型元件的精准度。此外，由于微拾取阵列是利用光刻制造工艺所形成，因此微拾取结构可以做得很小而不需要用到很厚的软性高分子层，除了能拾取更精密的微型元件之外，还能节省大量的固化时间。在一实施例中，微拾取结构具有凹槽，且软性高分子层填入凹槽中，因此能提高拾取微型元件时的制造工艺裕度。[0101]虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

权利要求：1.一种微拾取阵列，其特征在于，用以拾取微型元件，所述微拾取阵列包括：一基板；一拾取结构，位于该基板上，该拾取结构是由一感光材料所组成；以及一软性高分子层，覆盖该拾取结构。2.如权利要求1所述的微拾取阵列，其特征在于，该软性高分子层的材料包括聚二甲基硅氧烷或橡胶。3.如权利要求1所述的微拾取阵列，其特征在于，该拾取结构的侧面为阶梯状。4.如权利要求1所述的微拾取阵列，其特征在于，该拾取结构中具有一凹槽，且该软性高分子层填入该凹槽中。5.如权利要求4所述的微拾取阵列，其特征在于，该软性高分子层填满该凹槽。6.如权利要求4所述的微拾取阵列，其特征在于，该拾取结构中的该凹槽贯穿该拾取结构，且该软性高分子层填入该凹槽并与该基板接触。7.如权利要求4所述的微拾取阵列，其特征在于，该拾取结构中的该凹槽的宽度介于5微米与100微米之间。8.如权利要求4所述的微拾取阵列，其特征在于，该拾取结构中的该凹槽的深度介于5微米与20微米之间。9.如权利要求4所述的微拾取阵列，其特征在于，该软性高分子层对应该凹槽的厚度介于10微米与50微米之间。10.如权利要求1所述的微拾取阵列，其特征在于，该感光材料为透明材料。11.一种微拾取阵列的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成一拾取结构，该拾取结构是由光刻制造工艺所形成；以及于该拾取结构上形成一软性高分子层。12.如权利要求11所述的微拾取阵列的制造方法，其特征在于，于该拾取结构上形成该软性高分子层方法包括：以旋转涂布或印刷的方式形成一软性高分子材料；以及加热该软性高分子材料，使该软性高分子材料固化成该软性高分子层。13.如权利要求11所述的微拾取阵列的制造方法，其特征在于，于该拾取结构上形成该软性高分子层方法包括：将一软性高分子材料涂布于一转印基板上；用该拾取结构沾取该转印基板上的该软性高分子材料；以及加热该软性高分子材料，使该软性高分子材料固化成该软性高分子层。14.如权利要求11所述的微拾取阵列的制造方法，其特征在于，于该拾取结构上形成该软性高分子层方法包括：以涂布的方式于该拾取结构上形成一软性高分子材料；将模具压在该基板上，该模具包括对应该拾取结构的开口；以及加热该软性高分子材料，使该软性高分子材料固化成该软性高分子层。

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