申请/专利权人:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日:2020-05-11
公开(公告)日:2020-07-28
公开(公告)号:CN111463226A
主分类号:H01L27/146(20060101)
分类号:H01L27/146(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.08.21#实质审查的生效;2020.07.28#公开
摘要:本发明公开了一种光电集成器件及其制造方法,所述方法包括:提供一半导体基底,在所述半导体基底中至少包括一光电器件;在所述半导体基底的第一表面形成第一介电层;在所述第一介电层上形成绝缘层;在所述绝缘层中形成第一开口,以裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层;在裸露的所述第一介电层上形成第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。本发明提供的光电集成器件使得光线只通过所述抗反射层即可进入所述光电器件,不仅可以获得优良的光学特性,还减小了制造成本。
主权项:1.一种光电集成器件的制造方法,包括:提供一半导体基底,在所述半导体基底中至少包括一光电器件;在所述半导体基底的第一表面形成第一介电层;在所述第一介电层上形成绝缘层;在所述绝缘层中形成第一开口,以裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层;在裸露的所述第一介电层上形成第二介电层,其中,所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光电集成器件及其制造方法
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