申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-04-28

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111667877A

主分类号：G11C29/56(20060101)

分类号：G11C29/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.17#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种存储器测试电路、测试系统及测试方法，测试电路包括：主控芯片、被配置处理芯片，被配置处理芯片，用于被上电后从被测存储器加载所需的配置信息，并利用配置信息进行配置后输出预设信息，预设信息能够表征被配置处理芯片是否成功配置所述配置信息；主控芯片，用于根据上位机下发的测试指令，从所述被测存储器内部获取配置信息，并从被配置处理芯片获取预设信息，将配置信息及预设信息反馈给上位机，以使上位机根据所述配置信息及所述预设信息，对所述被测存储器的上电加载功能进行判断，输出判断结果。本发明解决了现有技术中利用目前的测试系统的架构对PROM完成测试后，依然有可能存在加载功能错误的问题。

主权项：1.一种存储器测试电路，其特征在于，包括：主控芯片、被配置处理芯片，其中，所述被配置处理芯片，用于上电后从被测存储器加载所需的配置信息，并在利用所述配置信息进行配置后输出预设信息，所述预设信息用于表征所述被配置处理芯片是否成功配置所述配置信息；所述主控芯片，用于根据上位机下发的测试指令，从所述被测存储器内部获取所述配置信息，并从所述被配置处理芯片获取所述预设信息，将所述配置信息及所述预设信息反馈给所述上位机，以使所述上位机根据所述配置信息及所述预设信息，对所述被测存储器的上电加载功能进行判断，输出判断结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 存储器测试电路、测试系统及测试方法

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