申请/专利权人：格芯公司

申请日：2020-02-10

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668309A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101)

优先权：["20190308 US 16/296,769"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明涉及具有扩散阻挡间隙件部分的场效应晶体管，揭露场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的方法。在由半导体材料组成的主动区上方设置该场效应晶体管的栅极结构。邻近该栅极结构设置第一侧壁间隙件。第二侧壁间隙件包括设置于该第一侧壁间隙件与该主动区之间的部分。该第一侧壁间隙件由低k介电材料组成。

主权项：1.一种结构，包括：主动区，由半导体材料组成；栅极结构，位于该主动区上方；第一侧壁间隙件，与该栅极结构相邻，该第一侧壁间隙件由低k介电材料组成；以及第二侧壁间隙件，包括设置于该第一侧壁间隙件与该主动区之间的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯公司 具有扩散阻挡间隙件部分的场效应晶体管

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