申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878137A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78

优先权：["20221012 KR 10-2022-0130712"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：提供了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区域，包括第一部分和第二部分；隔离区域，位于有源区域的侧表面上；多个有源层，在有源区域的第一部分上沿竖直方向堆叠且彼此间隔开；外延结构，设置在有源区域的第二部分上，连接到所述多个有源层，并且在竖直方向上与隔离区域叠置；栅极结构，延伸以与有源区域交叉并且围绕所述多个有源层中的每个有源层；以及栅极间隔件，位于栅极结构的侧表面上。外延结构包括阻挡层和位于阻挡层上的源极漏极结构，阻挡层包括多个有源阻挡部分和至少一个第一弯曲部分，所述多个有源阻挡部分分别接触所述多个有源层，所述至少一个第一弯曲部分从所述多个有源阻挡部分中的至少一个弯曲并延伸并且接触栅极间隔件。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区域，包括第一部分和第二部分；隔离区域，位于有源区域的侧表面上；多个有源层，在竖直方向上堆叠且彼此间隔开，并且位于有源区域的第一部分上；外延结构，设置在有源区域的第二部分上，连接到所述多个有源层，并且在竖直方向上与隔离区域叠置；栅极结构，围绕所述多个有源层；以及栅极间隔件，位于栅极结构的侧表面上，其中，外延结构包括阻挡层和位于阻挡层上的源极漏极结构，并且其中，阻挡层包括：多个有源阻挡部分，分别接触所述多个有源层；以及至少一个第一弯曲部分，从所述多个有源阻挡部分中的至少一个有源阻挡部分弯曲并延伸，并且接触栅极间隔件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括阻挡层和源极/漏极结构的半导体装置

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