申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2020-04-03

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111799244A

主分类号：H01L23/528(20060101)

分类号：H01L23/528(20060101);H01L23/538(20060101)

优先权：["20190404 JP 2019-071794"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：提供能够抑制在半导体基板、保护膜产生的裂缝的进展的半导体芯片。半导体芯片具备：化合物半导体基板，其具有一对主面以及设置在该一对主面之间的侧面；电路，其设置在一对主面中的一个主面上；多个第一金属，它们设置在一个主面上；以及多个第二金属，它们设置在一个主面上，多个第一金属在一个主面的俯视时，与电路相比在一个主面的外缘侧配置为环状，且在相互相邻的第一金属之间形成缝隙并包围电路，多个第二金属在一个主面的俯视时，配置在电路与多个第一金属之间或者与多个第一金属相比配置在外缘侧，多个第二金属的各个在化合物半导体基板的侧面的俯视时，配置为至少一部分与第一金属之间的缝隙重合。

主权项：1.一种半导体芯片，其中，具备：化合物半导体基板，具有一对主面以及设置在所述一对主面之间的侧面；电路，设置在上述一对主面中的一个主面上；多个第一金属，设置在上述一个主面上；以及多个第二金属，设置在上述一个主面上，在俯视上述一个主面时，上述多个第一金属与上述电路相比在上述一个主面的外缘侧配置为环状，以便在相互相邻的第一金属之间形成缝隙的同时包围上述电路，在俯视上述一个主面时，上述多个第二金属配置在上述电路与上述多个第一金属之间或者与上述多个第一金属相比配置在上述外缘侧，在俯视上述化合物半导体基板的上述侧面时，上述多个第二金属中的各第二金属配置为至少一部分与上述第一金属之间的缝隙重合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 半导体芯片

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