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【发明公布】含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法_长沙晟天新材料有限公司_202010696593.5 

申请/专利权人:长沙晟天新材料有限公司

申请日:2020-07-20

公开(公告)日:2020-10-23

公开(公告)号:CN111816855A

主分类号:H01M4/36(20060101)

分类号:H01M4/36(20060101);C23C16/26(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/485(20100101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.02.10#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要:含镁一氧化硅硅@树脂碳CVD碳材料的制备方法:将一氧化硅颗粒和硅颗粒加入到无水乙醇中混合,超声分散;加入树脂,加热使树脂溶解,搅拌研磨,喷雾干燥;热处理,使树脂先发泡再碳化;在表面放置镁片,真空条件下热处理;放入化学气相沉积炉中,进行表面碳沉积,即成。本发明所得含镁一氧化硅硅@树脂碳CVD碳材料具有独特的双层包覆结构,小粒径一氧化硅和硅化镁均匀分散在碳材料中,用于制作锂离子电池负极,锂化速率提高3~4.5倍;本发明制备方法,操作简单,成本低,易于工业化生产;所得电池负极材料能大幅度提高锂离子电池的首次库伦效率,延长其使用寿命。

主权项:1.含镁一氧化硅硅@树脂碳CVD碳材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将一氧化硅颗粒和硅颗粒加入到无水乙醇中混合,超声分散,得分散液;(2)向所述分散液中加入树脂,加热使树脂溶解,搅拌研磨,喷雾干燥,得干燥产品;(3)对所述干燥产品进行热处理,使树脂先发泡再碳化,得一氧化硅硅@树脂碳材料;(4)在所述一氧化硅硅@树脂碳材料表面放置镁片,在真空条件下热处理,得含镁一氧化硅硅@树脂碳材料;(5)将所述含镁一氧化硅硅@树脂碳材料放入化学气相沉积炉中,用化学气相沉积法进行表面碳沉积,即成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长沙晟天新材料有限公司 含镁一氧化硅/硅@树脂碳/CVD碳材料的制备方法

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