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【发明公布】雾化CVD成膜装置和成膜方法_株式会社村田制作所_202280053839.4 

申请/专利权人:株式会社村田制作所

申请日:2022-11-02

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117836466A

主分类号:C23C16/448

分类号:C23C16/448;H01L21/31;H01L21/368

优先权:["20220204 JP 2022-016412"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明是一种雾化CVD成膜装置1,具备成膜室10和加热器20:成膜室10具备:使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾6流入的开口即雾流入口12、载置成膜对象物30的工作台11以及使成膜雾6流出的开口即雾流出口13;加热器20加热工作台11;将在工作台11上方以与成膜雾6的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的成膜室10内的空间的截面积即成膜室内截面积S1、与以与成膜雾6的流通方向正交的截面切断雾流出口13而得的切断面中的雾流出口13的空间的截面积即流出口截面积S2进行比较时,流出口截面积S2比成膜室内截面积S1小。

主权项:1.一种雾化CVD成膜装置,具备成膜室和加热器,所述成膜室具备:使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入的开口即雾流入口,载置成膜对象物的工作台,使所述成膜雾流出的开口即雾流出口;所述加热器加热所述工作台;其中,将成膜室内截面积与流出口截面积进行比较则所述流出口截面积比所述成膜室内截面积小,所述成膜室内截面积是将所述工作台的上方以与所述成膜雾的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的所述成膜室内的空间的截面积,所述流出口截面积是将所述雾流出口以与所述成膜雾的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的所述雾流出口的空间的截面积。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社村田制作所 雾化CVD成膜装置和成膜方法

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