申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司

申请日：2023-11-15

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117248200B

主分类号：C23C16/503

分类号：C23C16/503;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本申请公开了一种CVD晶圆反应电场发生机构，包括第二作业板和供电装置，通过供电装置对第二作业板通电，第二作业板用作电场发生器、能够构建电场从而促进气相沉积反应；供电装置包括电源、导电条、第一导电块、第二导电块和导电片，电源供电，电流通过导电条、第一导电块、第二导电块和导电片作用于第二作业板；第一导电块和第二导电块中的一者的接触端设置为凸状、另一者的接触端设置为凹状；第二作业板上设有容纳槽，导电片处于容纳槽中；通过设置导电条、第一导电块、第二导电块和导电片，既适应了箱体与盖体的开合结构、提高了设备安全，又方便了导电结构与箱体的组装，还保证了导电结构与第二作业板的接触导电效果。

主权项：1.一种CVD晶圆反应电场发生机构，其特征在于，包括：第二作业板（320），所述第二作业板（320）背离反应腔（101）的一面设有多个呈放射状布置的散热通道（323），任意两个相邻的所述散热通道（323）之间设有一个叶片（324），所述叶片（324）呈扇形，所述叶片（324）的中心轴处设有第一辅流通道（325），所述第一辅流通道（325）径向延伸、贯穿所述叶片（324）、并将所述叶片（324）分成两个岔道，所述岔道的中心轴处还设有第二辅流通道（326），所述第二辅流通道（326）径向延伸、贯穿所述岔道；所述第二作业板（320）的圆心设有处散热孔（327），所述散热孔（327）沿厚度方向贯穿所述第二作业板（320）；所述第二作业板（320）中设有气道（320a），所述气道（320a）径向延伸、贯穿所述第二作业板（320）、并连通所述散热孔（327），所述气道（320a）用于供反应气体流通；散热板（330），设于所述第二作业板（320）上方；风扇（340），设于所述散热板（330）上方；供电装置（500），用于对所述第二作业板（320）通电；所述供电装置（500）包括：电源（510）；导电条（520），设于箱体（110）中、用于连接所述电源（510）；第一导电块（530），设于所述箱体（110）中、并延伸至所述箱体（110）的顶部，所述第一导电块（530）与所述导电条（520）可拆卸地连接；第二导电块（540），设于盖体（120）中、用于接触所述第一导电块（530），所述盖体（120）可翻转地设于所述箱体（110）一侧；导电片（550），与所述第二导电块（540）可拆卸地连接；其中，所述第一导电块（530）和所述第二导电块（540）中的一者的接触端设置为凸状、另一者的接触端设置为凹状，所述第一导电块（530）和所述第二导电块（540）接触时，凸状接触端能够插入凹状接触端中；所述第二作业板（320）上设有容纳槽（321），所述导电片（550）处于所述容纳槽（321）中、并接触所述第二作业板（320）；工作时，所述箱体（110）与所述盖体（120）密封连接，所述第一导电块（530）接触所述第二导电块（540）；所述电源（510）供电，电流通过所述导电条（520）、所述第一导电块（530）、所述第二导电块（540）和所述导电片（550）作用于所述第二作业板（320）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡尚积半导体科技有限公司 CVD晶圆反应电场发生机构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD