申请/专利权人：北京蓝海创芯智能科技有限公司

申请日：2020-08-31

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN111817137A

主分类号：H01S5/20(20060101)

分类号：H01S5/20(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2021.09.10#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本发明提供了一种限制增强型GaN基深紫外激光器，自下往上依次是N型电极、衬底、N型下限制层、N型AlxGa1‑xN下波导层、有源区、P型AlxGa1‑xN上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型GaN欧姆接触层和P型电极；所述N型AlxGa1‑xN下波导层和P型AlxGa1‑xN上波导层均为Al组分渐变型，利用N型AlxGa1‑xN下波导层和P型AlxGa1‑xN上波导层中的Al组分渐变设计引导光场靠近有源区，降低光学损耗，增强量子阱对载流子的限制，抑制电子泄露，改善阈值和输出功率。

主权项：1.一种限制增强型GaN基深紫外激光器，其特征在于，自下往上依次是N型电极（1）、衬底（2）、N型下限制层（3）、N型AlxGa1-xN下波导层（4）、有源区（5）、P型AlxGa1-xN上波导层（6）、P型电子阻挡层（7）、P型上限制层（8）、P型欧姆接触层（9）和P型电极（10）；其中，所述N型AlxGa1-xN下波导层（4）和P型AlxGa1-xN上波导层（6）的材料均为AlxGa1-xN；在N型AlxGa1-xN下波导层（4）中，自下往上AlxGa1-xN材料的x从0.6逐渐降低到0.5；在P型AlxGa1-xN上波导层（6）中，自下往上AlxGa1-xN材料的x从0.5逐渐增加到0.6，利用N型AlxGa1-xN下波导层（4）和P型AlxGa1-xN上波导层（6）中的Al的摩尔组分渐变设计引导光场靠近有源区，降低光学损耗，增强量子阱对载流子的限制，抑制电子泄露，改善阈值和输出功率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京蓝海创芯智能科技有限公司 一种限制增强型GaN基深紫外激光器

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