申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117870847A

主分类号：G01H9/00

分类号：G01H9/00;B81B3/00;B81B7/00;B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器。包括硅衬底，硅衬底上设置有第一引脚支撑和第二引脚支撑，二者都通过硅柱固定在硅衬底上。第一引脚支撑和第二引脚支撑之间通过第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑连接，构成一个中间有长条状空腔的双桥结构。第一引脚支撑侧及中间双桥结构部分由下至上依次设置有n‑GaN层，量子阱层，p‑GaN层，第一引脚电极，构成发光二极管。第二引脚支撑上设置有第二引脚电极。双桥结构长条状空腔顶部设置有MoS2薄膜。本发明利用MoS2薄膜随声波振动的物理特性和在发光二极管激发下的发光特性，通过光电探测器监测MoS2发出的光功率变化，并汇总到电源控制和监测模块上，实现声波传感功能。

主权项：1.基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器，其特征在于，所述声波传感器包括硅基氮化物衬底，所述衬底上设有第一引脚支撑和第二引脚支撑；所述第一引脚支撑和第二引脚支撑之间通过第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑连接；所述第一引脚支撑、第二引脚支撑、第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑构成一个中心有长条状空腔的悬臂梁双桥结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 基于覆盖MoS₂感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD