申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2019-11-01
公开(公告)日:2020-12-01
公开(公告)号:CN112018178A
主分类号:H01L29/78(20060101)
分类号:H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101)
优先权:["20190530 US 16/426,114"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开
摘要:多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上,第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙,使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也可以设置在多个硅层的第一层和第二层之间。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法。
主权项:1.一种制造多栅极半导体器件的方法,包括:提供在衬底之上延伸的第一鳍,所述第一鳍具有多个第一类型的外延层和多个第二类型的外延层;去除所述第一鳍的沟道区中的所述第二类型的外延层的层的第一部分,以在所述第一类型的外延层的第一层和所述第一类型的外延层的第二层之间形成间隙;在所述间隙内形成第一栅极结构的第一部分,并且所述第一栅极结构的所述第一部分从所述第一类型的外延层的所述第一层的第一表面延伸到所述第一类型的外延层的所述第二层的第二表面;以及在形成所述第一栅极结构的所述第一部分之后,去除邻近所述第一栅极结构的所述第一部分的所述第二类型的外延层的层的第二部分,以形成第一气隙。
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权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法
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