申请/专利权人:华为技术有限公司
申请日:2019-05-30
公开(公告)日:2021-01-08
公开(公告)号:CN112204833A
主分类号:H01S5/22(20060101)
分类号:H01S5/22(20060101)
优先权:["20180530 US 62/678,091","20190320 US 62/821,082"]
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.04.21#发明专利申请公布后的驳回;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开
摘要:一种激光器芯片,包括第一横向部分和第二横向部分,第一横向部分包括:第一金属条、耦合到第一金属条的第一横向连接器、第二金属条、以及耦合到第二金属条的第二横向连接器;第二横向部分耦合到第一横向部分并且包括耦合到第一横向连接器的第一焊垫和耦合到第二横向连接器的第二焊垫。一种DFB激光器芯片的制造方法,该方法包括沉积钝化层的第一部分;沉积第二金属条;沉积钝化层的第二部分;以及沉积第一金属条。
主权项:1.一种激光器芯片,包括:第一横向部分,包括:第一金属条,耦合到所述第一金属条的第一横向连接器,第二金属条,和耦合到所述第二金属条的第二横向连接器;以及第二横向部分,耦合到所述第一横向部分并且包括:耦合到所述第一横向连接器的第一焊垫,和耦合到所述第二横向连接器的第二焊垫。
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