申请/专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司

申请日：2020-06-28

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN212342639U

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.12#授权

摘要：本实用新型公开一种大功率MOSFET器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，所述硅片中部且位于重掺杂N型漏极层和P型掺杂阱层之间具有一N型掺杂外延层；一位于P型掺杂阱层内的沟槽延伸至N型掺杂外延层内，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面；所述沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，有效抑制了器件的误开启。

主权项：1.一种大功率MOSFET器件，其特征在于：包括：位于硅片（1）下部的重掺杂N型漏极层（2）和位于硅片（1）上部的P型掺杂阱层（3），所述硅片（1）中部且位于重掺杂N型漏极层（2）和P型掺杂阱层（3）之间具有一N型掺杂外延层（4）；一位于P型掺杂阱层（3）内的沟槽（5）延伸至N型掺杂外延层（4）内，位于P型掺杂阱层（3）上部内且位于沟槽（5）的周边具有重掺杂N型源极区（6），一绝缘介质层（7）覆盖于沟槽（5）、重掺杂N型源极区（6）和P型掺杂阱层（3）上表面，位于重掺杂N型源极区（6）上表面的绝缘介质层（7）开有一通孔（8），一上金属层（9）位于绝缘介质层（7）上表面和通孔（8）内，从而与重掺杂N型源极区（6）电连接，一下金属层（10）覆盖于重掺杂N型漏极层（2）与N型掺杂外延层（4）相背的表面；所述沟槽（5）侧壁和底部具有一第一二氧化硅层（11），且沟槽（5）内间隔设置有用第一导电多晶硅柱（12）、第二导电多晶硅柱（13），此第一导电多晶硅柱（12）、第二导电多晶硅柱（13）之间填充有第二二氧化硅层（14）。

全文数据：

权利要求：

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