申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2019-01-30
公开(公告)日:2021-02-19
公开(公告)号:CN111261617B
主分类号:H01L23/64(20060101)
分类号:H01L23/64(20060101);H01L49/02(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.02.19#授权;2020.07.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开
摘要:一种电容器结构,包含:半导体衬底;所述半导体衬底中的第一垂直扩散板;所述半导体衬底中并且围绕所述第一垂直扩散板的第一STI结构;所述半导体衬底中并且围绕所述第一STI结构的第二垂直扩散板;以及所述半导体衬底中的离子阱。所述离子阱直接设置在所述第一垂直扩散板、所述第一STI结构和所述第二垂直扩散板之下。所述第二垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阳极。所述第一垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阴极。
主权项:1.一种电容器结构,包括:第一导电类型的半导体衬底;设置于所述半导体衬底中的所述第一导电类型的第一垂直扩散板;设置于所述半导体衬底中的第一浅沟槽隔离STI结构,并且所述第一STI结构围绕所述第一垂直扩散板;设置于所述半导体衬底中的所述第一导电类型的第二垂直扩散板,并且所述第二垂直扩散板围绕所述第一STI结构;设置于所述半导体衬底中的第二导电类型的离子阱,其中,所述离子阱直接设置在所述第一垂直扩散板、所述第一STI结构和所述第二垂直扩散板之下;设置于所述半导体衬底上的第一金属互联和第二金属互联;设置于所述第一垂直扩散板上的多个第一接触元件,其中,所述第一垂直扩散板通过所述多个第一接触元件和所述第一金属互联而电耦合至所述电容器结构的阴极;以及设置于所述第二垂直扩散板上的多个第二接触元件,其中,所述第二垂直扩散板通过所述多个第二接触元件和所述第二金属互联而电耦合至所述电容器结构的阳极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长江存储科技有限责任公司 具有垂直扩散板的电容器结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。