申请/专利权人：中国科学院电工研究所

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2021-02-26

公开（公告）号：CN111130323B

主分类号：H02M1/088(20060101)

分类号：H02M1/088(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.26#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路，包括一个IGBT静态均压电阻R11、一个二极管静态均压电阻R12、一个二极管D1、一个电容C1、一个二极管D2和一个动态均压电阻R13。IGBT的集电极与IGBT静态均压电阻R11的一端、二极管D1的负极和电容C1的正极连接，IGBT的发射极与IGBT静态均压电阻R11的另一端、二极管D1的正极、二极管静态均压电阻R12的一端、二极管Diode的正极连接，二极管Diode的负极与二极管静态均压电阻R12的另一端、动态均压电阻R13的一端、二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与动态均压电阻R13的另一端、电容C1的负极连接；本发明可应用于高压直流输电领域中电流源换流器的组合型逆阻器件串联均压。

主权项：1.一种IGBT串联二极管组合型逆阻器件串联均压电路，其特征在于：所述均压电路由两个组合型逆阻器件串联均压电路组成，包括六个电阻：IGBT静态均压电阻R11、R21，二极管静态均压电阻R12、R22和动态均压电阻R13、R23，四个二极管D1、D2、D3、D4，两个均压电容C1、C2；其中第一自关断器件IGBT_1的集电极与均压电路的输出端子E、IGBT静态均压电阻R11的一端、二极管D1的负极、均压电容C1的正极连接，第一自关断器件IGBT_1的发射极与IGBT静态均压电阻R11的另一端、二极管D1的正极、二极管静态均压电阻R12的一端、第一二极管Diode_1的正极连接，二极管D2的正极与动态均压电阻R13的另一端、均压电容C1的负极连接，第一二极管Diode_1的负极与二极管静态均压电阻R12的另一端、动态均压电阻R13的一端、二极管D2的负极、第二自关断器件IGBT_2的集电极、IGBT静态均压电阻R21的一端、二极管D3的负极、均压电容C2的正极连接；第二自关断器件IGBT_2的发射极与第二二极管Diode_2的正极、IGBT静态均压电阻R21的另一端、二极管D3的正极、二极管静态均压电阻R22的一端连接，第二二极管Diode_2的负极与二极管静态均压电阻R22的另一端、动态均压电阻R23的一端、二极管D4的负极、均压电路的输出端子F连接，均压电容C2的负极与电阻R23的另一端及二极管D4的正极连接；每个组合型逆阻器件串联均压电路包括一个IGBT静态均压电阻R11、一个二极管静态均压电阻R12、一个二极管D1、一个均压电容C1、一个二极管D2和一个动态均压电阻R13；IGBT的集电极与IGBT静态均压电阻R11的一端、二极管D1的负极和均压电容C1的正极连接，IGBT的发射极与IGBT静态均压电阻R11的另一端、二极管D1的正极、二极管静态均压电阻R12的一端、二极管Diode的正极连接，二极管Diode的负极与二极管静态均压电阻R12的另一端、动态均压电阻R13的一端、二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与动态均压电阻R13的另一端、均压电容C1的负极连接。

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