申请/专利权人：南通通富微电子有限公司

申请日：2019-07-26

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN110534444B

主分类号：H01L21/56(20060101)

分类号：H01L21/56(20060101);H01L21/60(20060101);H01L23/552(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2019.12.27#实质审查的生效;2019.12.03#公开

摘要：一种封装结构的形成方法，在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后，形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；在所述第二屏蔽层上以及半导体芯片之间的载板上形成塑封层；剥离所述载板，形成预封面板，所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面；在所述预封面板的背面形成与焊盘连接的外部接触结构。通过在第一屏蔽层上形成第二屏蔽层，所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。

主权项：1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干焊盘贯穿底部屏蔽层，焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；且具有所述底部屏蔽层的半导体芯片的形成过程为：提供晶圆，所述晶圆上形成有若干半导体芯片，所述半导体芯片包括顶层介质层和位于顶层介质层中的顶层互连结构；在所述顶层介质层上形成隔离层；刻蚀所述隔离层，在所述隔离层中形成若干第一开口和包围所述若干第一开口的第二开口，且剩余的隔离层仅位于第一开口和第二开口之间，将所述第一开口和第二开口隔开；在所述若干第一开口中填充金属材料形成若干焊盘，在所述第二开口中填充金属材料形成底部屏蔽层；形成焊盘和底部屏蔽层后，切割所述晶圆，形成若干分立具有底部屏蔽层的半导体芯片；提供载板；将所述若干半导体芯片的功能面粘合在载板上；形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接；在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；在所述第二屏蔽层上以及半导体芯片之间的载板上形成塑封层；剥离所述载板，形成预封面板，所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面；在所述预封面板的背面形成与焊盘连接的外部接触结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通通富微电子有限公司 封装结构的形成方法

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