申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司

申请日：2020-05-13

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN212967704U

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权

摘要：本实用新型提供一种CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器包括：若干像素单元、位于所述像素单元上部的微透镜结构；所述微透镜结构包括：由多层透光铺设层堆叠的微透镜核，以及包覆所述微透镜核的微透镜外层，其中，多层透光铺设层具有不完全相同的折射率。本实用新型通过以透光铺设层作为硬掩模，形成多层透光铺设层构成的微透镜核，能够提高光刻和刻蚀工艺稳定性，并且所形成的图像传感器光敏感性和相对照度更好，像素之间的串扰更小。

主权项：1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：若干像素单元、位于所述像素单元上部的微透镜结构；所述微透镜结构包括：由多层透光铺设层堆叠的微透镜核，以及包覆所述微透镜核的微透镜外层，其中，多层透光铺设层具有不完全相同的折射率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 CMOS图像传感器

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