申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2020-09-23

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130475A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/762(20060101)

优先权：["20191231 US 16/732,230"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明实施例涉及集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法。本发明实施例涉及一种集成电路，其包含：衬底，其具有第一区及第二区；第一隔离结构，其放置于所述衬底中且将所述第一区与所述第二区分离；第一装置，其放置于所述第一区中；第二装置，其放置于所述第二区中；及半导体虚设结构，其放置于所述第一隔离结构上。所述第一隔离结构具有第一顶表面及低于所述第一顶表面的第二顶表面。所述半导体虚设结构覆盖所述第一顶表面的部分、所述第二顶表面的部分及所述第一顶表面与所述第二顶表面之间的边界。

主权项：1.一种集成电路，其包括：衬底，其包括第一区及第二区；第一隔离结构，其放置于所述衬底中且将所述第一区与所述第二区分离，其中所述第一隔离结构具有第一顶表面及低于所述第一顶表面的第二顶表面；第一装置，其放置于所述第一区中；第二装置，其放置于所述第二区中；及半导体虚设结构，其放置于所述第一隔离结构上，其中所述半导体虚设结构覆盖所述第一顶表面的一部分、所述第二顶表面的一部分及所述第一顶表面与所述第二顶表面之间的边界。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法

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