申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-06-28

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN110660746B

主分类号：H01L23/00(20060101)

分类号：H01L23/00(20060101);H01L43/02(20060101);H01L43/12(20060101);H05K9/00(20060101);G11C11/16(20060101)

优先权：["20180629 US 62/692,238","20190411 US 16/381,410"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.20#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：在一些实施例中，本申请提供一种存储器器件。存储器器件包含芯片，芯片包含磁性随机存取存储器MRAM单元。至少部分地包围芯片的磁场屏蔽结构包含多层堆叠。多层堆叠包含磁性层和介电层。第一磁性区位于磁场屏蔽结构的内表面内部且第二磁性区直接位于磁场屏蔽结构的外表面外部。第一磁性区中的磁场小于第二磁性区中的磁场。

主权项：1.一种存储器器件，其特征在于，包括：芯片，包含磁阻随机存取存储器单元；以及磁场屏蔽结构，至少部分地包围所述芯片且包括磁性层和介电层，其中所述磁场屏蔽结构包括：多个磁性材料条带，布置在所述芯片的上部表面上方的平面中，每一磁性材料条带具有的长度大于所述芯片的顶部表面的长度且具有的宽度小于所述芯片的所述顶部表面的宽度；以及多个介电材料条带，布置在所述平面中且将所述多个磁性材料条带彼此分隔，每一所述介电材料条带具有的长度大于所述芯片的所述顶部表面的所述长度且具有的宽度小于所述芯片的所述顶部表面的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件以及制造存储器器件的方法

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