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【发明公布】局部错层复合片材加工方法_麦格磁电科技(珠海)有限公司_202110751161.4 

申请/专利权人:麦格磁电科技(珠海)有限公司

申请日:2021-07-01

公开(公告)日:2021-09-21

公开(公告)号:CN113415062A

主分类号:B32B37/00(20060101)

分类号:B32B37/00(20060101);B32B38/00(20060101);B32B38/04(20060101);B32B38/18(20060101)

优先权:["20210629 CN 2021107240699"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.06#授权;2021.10.12#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要:本发明提供了一种局部错层复合片材加工方法,包括如下步骤:a模切复合多层材料;b覆盖第一片状材料;c模切第一片状材料;d压合。本发明通过模切及压合等工艺形成具有小轮廓的第一片状材料,从而加工出复合片材所需的局部错层,进而形成具有局部错层的复合片材。

主权项:1.局部错层复合片材加工方法,包括如下步骤:a将复合多层材料粘贴在底膜上,模切第一边,并在底膜上模切出定位孔,除去模切废料;b将第一片状材料覆盖第一边,使第一片状材料部分覆盖所述复合多层材料,部分贴合在底膜上,其中第一片状材料的层数少于所述复合多层材料的层数;c利用定位孔进行定位,沿第一边模切第一片状材料,并模切第一片状材料位于底膜上的轮廓边,形成具有小轮廓的第一片状材料,并除去模切废料;d压合第一片状材料,使第一片状材料的第一边与复合多层材料的第一边紧贴。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 麦格磁电科技(珠海)有限公司 局部错层复合片材加工方法

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