申请/专利权人：天津大学

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2021-12-03

公开（公告）号：CN113746441A

主分类号：H03F1/56(20060101)

分类号：H03F1/56(20060101);H03F1/26(20060101);H03F1/42(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.20#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本发明涉及一种宽带SiGeBiCMOS低噪声放大器，包括第一级密勒电容宽带匹配电路和后级共基共射放大电路，其特征在于，所述第一级密勒电容宽带匹配电路，其输入端接收信号输入端的信号IN，将射频信号放大后经过极间电容输出到后级共基共射放大电路；所述密勒电容宽带匹配电路包括：第一晶体管Q1，第一电阻R1，第一电感L1，第二电感L2，第一电容C1和第二电容C2；其中，所述第一晶体管Q1的基极与第一电容C1的第一端连接；所述第一晶体管Q1的集电极分别与第一电感L1的第一端、第二电容C2的第一端连接；所述第一晶体管Q1的发射极与第二电感L2的第一端连接；所述第一电阻R1与第一电感L1的第二端连接。

主权项：1.一种宽带SiGeBiCMOS低噪声放大器，包括第一级密勒电容宽带匹配电路和后级共基共射放大电路，其特征在于，所述第一级密勒电容宽带匹配电路，其输入端接收信号输入端的信号IN，将射频信号放大后经过极间电容输出到后级共基共射放大电路；所述后级共基共射电路，其输入端连接密勒电容宽带匹配电路的输出并将信号进行第二级共基共射放大电路、第三级共基共射放大电路进行两级放大后，输出至信号输出端OUT；所述密勒电容宽带匹配电路包括：第一晶体管Q1，第一电阻R1，第一电感L1，第二电感L2，第一电容C1和第二电容C2；其中，所述第一晶体管Q1的基极与第一电容C1的第一端连接；所述第一晶体管Q1的集电极分别与第一电感L1的第一端、第二电容C2的第一端连接；所述第一晶体管Q1的发射极与第二电感L2的第一端连接；所述第一电阻R1与第一电感L1的第二端连接。

全文数据：

权利要求：

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