申请/专利权人：成都明夷电子科技有限公司

申请日：2022-05-20

公开（公告）日：2022-11-04

公开（公告）号：CN217741688U

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;H03F3/68;H03F1/26;H03F1/02;H03F1/56

优先权：["20211103 CN 2021112910972"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.04#授权

摘要：本实用新型提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的四级差分放大器，基于区别于现行通用的GaAsCMOS工艺的SiGeBiCMOS工艺，SiGeBiCMOS产品具有更低的功耗、更小的体积和更高的集成度，而且可以和其他电路集成在一起，同时SiGeBiCMOS工艺的发展也使得这种电路实现更加可行，电路成本更低；本实用新型包括输入匹配网络、第一级、第二级、第三级、第四级差分结构电路。本实用新型与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；本实用新型与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。

主权项：1.一种基于SiGe-BiCMOS工艺的四级差分放大器，其特征在于，包括采用四级差分cascode结构依次连接的输入匹配短线、第一级差分共射共基单元、第二级差分共射共基单元、第三级差分共射共基单元、第四级差分共射共基单元、输出阻抗匹配单元；所述第一级差分共射共基单元、第二级差分共射共基单元、第三级差分共射共基单元、第四级差分共射共基单元构成共射共基级联结构；所述第一级差分共射共基单元、第二级差分共射共基单元、第三级差分共射共基单元、第四级差分共射共基单元结构都包括输入匹配网络和差分放大电路；所述差分放大电路中设置有采用SiGe-BiCMOS工艺制造的晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都明夷电子科技有限公司 一种基于SiGe-BiCMOS工艺的四级差分放大器

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