申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-04-21

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117204133A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20210423 US 63/179,090","20211229 US 17/564,486"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本文提供了形成三维动态随机存取存储器3DDRAM结构的方法。在一些实施方式中，一种形成3DDRAM结构的方法包括：在包括与多个晶体硅锗c‑SiGe层交替的多个晶体硅c‑Si层的第一堆叠中形成至少一个字线特征，其中该字线特征包括：竖直蚀刻第一孔图案；用硅锗填料填充该第一孔图案；穿过该第一堆叠竖直蚀刻多个隔离狭槽；用介电材料填充该多个隔离狭槽，以在该硅锗填料之间形成隔离层；蚀刻该硅锗填料和该多个c‑SiGe层以形成包括该多个c‑Si层的部分的多个栅极硅沟道；以及沉积围绕在该多个栅极硅沟道周围的导电材料层。

主权项：1.一种形成三维动态随机存取存储器3DDRAM结构的方法，包括：在第一堆叠中形成至少一个字线特征，所述第一堆叠包括与多个晶体硅锗c-SiGe层交替的多个晶体硅c-Si层，其中所述字线特征包括：穿过所述第一堆叠竖直蚀刻第一孔图案；用锗浓度类似于所述多个c-SiGe层中的锗浓度的硅锗填料填充所述第一孔图案；穿过所述第一堆叠竖直蚀刻多个隔离狭槽，所述竖直蚀刻多个隔离狭槽分割在所述第一孔图案中的每个孔中的所述硅锗填料；用介电材料填充所述多个隔离狭槽，以在所述硅锗填料之间形成隔离层；蚀刻所述硅锗填料和所述多个c-SiGe层以形成包括所述多个c-Si层的部分的多个栅极硅沟道；以及沉积围绕在所述多个栅极硅沟道周围的导电材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 使用堆叠式Si/SiGe的三维动态随机存取存储器(3D DRAM)全环绕式栅极(GAA)设计

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