申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672853A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明提供一种SiGe沟道的形成方法，提供FDSOI结构，FDSOI结构包括硅衬底、位于硅衬底上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层上的硅层；硅层上覆盖有硬掩膜层；在硬掩膜层上形成贯通其上下表面的凹槽区域，凹槽区域将硅层的上表面暴露；在凹槽区域形成SiGe薄膜；在SiGe薄膜的上形成第二氧化硅层；第二氧化硅层、SiGe薄膜及位于SiGe薄膜下的硅层构成堆栈结构；去除硬掩膜层；在氨气和氧气氛围中对堆栈结构进行热处理，形成SiO2‑SiGe沟道。本发明形成SiGe沟道，降低SiGe在后续热处理过程中的弛豫风险，在氨气推进Ge原子的同时，通入少量氧气,有效改善栅氧表面由于硬掩膜去除引起的损伤，同时有效降低SiSiGe界面的缺陷，降低SiO2自身的平带电压，可以得到质量更为优质的栅氧。

主权项：1.一种SiGe沟道的形成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供FDSOI结构，所述FDSOI结构包括硅衬底、位于所述硅衬底上的第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的硅层；所述硅层上覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成贯通其上下表面的凹槽区域，所述凹槽区域将所述硅层的上表面暴露；步骤二、在所述凹槽区域填充SiGe，形成SiGe薄膜；步骤三、在所述SiGe薄膜的上表面形成第二氧化硅层；所述第二氧化硅层、SiGe薄膜以及位于所述SiGe薄膜下的所述硅层构成堆栈结构；步骤四、去除所述硬掩膜层；步骤五、在氨气和氧气氛围中对所述堆栈结构进行热处理，形成SiO2-SiGe沟道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SiGe沟道的形成方法

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