申请/专利权人：美商新思科技有限公司

申请日：2021-06-29

公开（公告）日：2022-01-14

公开（公告）号：CN113935265A

主分类号：G06F30/33(20200101)

分类号：G06F30/33(20200101)

优先权：["20200629 US 63/045,639","20210625 US 17/359,176"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.18#实质审查的生效;2022.01.14#公开

摘要：本文中所描述的方面涉及使用设计引导偏移的掩模合成。基于集成电路的设计，使用掩模在待制造的图像表面上获得目标形状。生成从相应的锚点发出的射线。锚点在目标形状的边界上或在掩模的掩模形状的边界上。针对射线中的每条射线，定义在相应的射线与目标形状的边界的第一交叉点和相应的射线与掩模形状的边界的第二交叉点之间的距离。通过一个或多个处理器执行分析，其中该分析被配置为基于目标形状和由所述掩模形状造成的被模拟在所述图像表面上的结果形状之间的误差来修改距离。

主权项：1.一种方法，包括：基于集成电路的设计，使用掩模在待制造的图像表面上获得目标形状；生成从相应的锚点发出的射线，所述锚点在所述目标形状的边界上或在所述掩模的掩模形状的边界上；针对所述射线中的每条射线，定义以下之间的距离：所述相应的射线与所述目标形状的所述边界的第一交叉点；和所述相应的射线与所述掩模形状的所述边界的第二交叉点；通过一个或多个处理器，基于所述目标形状和由所述掩模形状造成的被模拟在所述图像表面上的结果形状之间的误差来修改所述距离；以及基于经修改的距离，生成用于所述掩模的掩模设计，所述掩模要被用来在所述图像表面上制造所述目标形状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美商新思科技有限公司 使用设计引导偏移的掩模合成

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