申请/专利权人：苏州华太电子技术有限公司

申请日：2020-11-20

公开（公告）日：2022-05-27

公开（公告）号：CN114551595A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.31#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：本发明公开了一种应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法。RFLDMOS器件包括衬底和外延层，所述外延层内分布有多层沟道区、漂移区和深阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述深阱区内形成有源区，所述多层沟道区包括多个沟道，至少一个沟道与所述源区电连接，至少一个沟道与所述漂移区电连接；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述多层沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经导电通道与所述衬底连接。本发明提供的RFLDMOS器件，将沟道通道从器件表面转移至器件体内形成埋沟，沟道通道的有效电子迁移率提升了30％以上，同时降低了栅极电压，有效抑制了沟道通道的热载流子注入效应。

主权项：1.一种应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件，其特征在于包括依次器件纵向叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有多层沟道区、漂移区和深阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述深阱区内形成有源区，所述多层沟道区包括沿器件横向依次设置的多个沟道，所述多个沟道中的至少一个沟道与所述源区电连接，至少一个沟道与所述漂移区电连接；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述多层沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，并且，所述源极还经导电通道与所述衬底连接；其中，所述衬底、外延层和深阱区均为第一掺杂类型，所述漂移区、多层沟道区、源区、漏区均为第二掺杂类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术有限公司 应用于射频放大的沟道掺杂调制RFLDMOS器件及制法

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