申请/专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司

申请日：2020-12-21

公开（公告）日：2022-06-21

公开（公告）号：CN114645315A

主分类号：C30B9/12

分类号：C30B9/12;C30B29/22;H01S3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.08#实质审查的生效;2022.06.21#公开

摘要：本申请实施例提供了一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法，其先通过助熔剂法制备KTP晶体，以K7P3O11为助熔剂，并掺入少量Ba2+，大大减少了KTP中的K+空位浓度，降低了KTP的电导率。同时，与传统的K6P4O13助熔剂相比，K7P3O11与铂金坩埚的反应程度更小，这使得所制备的KTP晶体532nm激光吸收大大减少。本申请提供的低电导、低吸收、高光学均匀性KTP晶体性能完全满足制作准相位匹配器件PPKTP的要求。

主权项：1.一种准相位器件的PPKTP用KTP晶体，所述KTP晶体经精密光学加工制成晶片后外加高压电场极化获得所述PPKTP，所述KTP晶体以K7P3O11为助熔剂制备，所述KTP晶体的电导率为2.5×10-10-4×10-10Scm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司 一种准相位匹配器件PPKTP用KTP晶体及其制备方法

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