申请/专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司

申请日：2020-12-21

公开（公告）日：2023-06-09

公开（公告）号：CN114645328B

主分类号：C30B29/14

分类号：C30B29/14;C30B9/12;G02F1/355

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.09#授权;2022.07.08#实质审查的生效;2022.06.21#公开

摘要：本申请实施例提供了一种PPKTP晶体的制备方法，在K4P2O7‑BaF2‑RbF助熔剂体系中直接生长获得PPKTP晶体，通过掺入Ba2+、Rb+，控制生长过程形成的K+空位‑O2‑空位浓度梯度，并利用SPWM波形调制信号实现温度周期涨落，结合合适的顶部籽晶生长技术工艺，使其在生长过程中依次形成自发极化方向交替变换的畴结构，从而生长出具有9.4μm左右的周期畴结构，占空比50％左右的KTP晶体，可加工成3‑8mm厚的大口径PPKTP准相位器件，在激光变频领域具有强大的竞争力。

主权项：1.一种PPKTP晶体的制备方法，其步骤包括：1将KH2PO4、TiO2、K2HPO4、BaF2和RbF放入位于晶体生长炉内的铂金坩埚中，970-990℃加热熔化后在该温度下保温搅拌45-65h，得均匀稳定的高温溶液，其中，KH2PO4、TiO2、K2HPO4、BaF2和RbF的摩尔比为100:100:135-147:3-4.5:0.5-1.5；2放入KTP籽晶，将温度降至饱和温度；3以正转-停止-反转方式循环旋转坩埚，并在降温过程中叠加在正弦脉宽调制SPWM信号控制下的熔体温度周期涨落来生长晶体。

全文数据：

权利要求：

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