申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2022-03-22

公开（公告）日：2022-07-29

公开（公告）号：CN114823718A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开

摘要：本发明公开了一种新型LTPO背板结构及制作方法，包括Poly半导体层，所述Poly半导体层上设有GI层和金属层M1栅极，所述GI层和金属层M1栅极外设有绝缘层PV1，所述绝缘层PV1上设有金属层M2，所述金属层M2外设有绝缘层PV2，所述绝缘层PV2上设有金属层M3，所述金属层M3上设有绝缘层PV3层，所述绝缘层PV3层上镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上设有GI层和金属层M4栅极，所述金属层M4栅极和IGZO半导体层上设有绝缘层PV4，所述绝缘层PV4上设有金属层M5，本发明属于背板技术领域，具体是指一种新型LTPO背板结构及制作方法，功耗低稳定性好。

主权项：1.一种新型LTPO背板结构，其特征在于：包括Poly半导体层，所述Poly半导体层上设有GI层和金属层M1栅极，所述GI层将金属层M1栅极和Poly半导体层隔开，所述GI层和金属层M1栅极外设有绝缘层PV1，所述绝缘层PV1上设有金属层M2，所述金属层M2与金属层M1栅极相连，所述金属层M2外设有绝缘层PV2，所述绝缘层PV2上设有金属层M3，所述金属层M3与金属层M2通过绝缘层PV2形成像素驱动电路的储存电容Cst，所述金属层M3上设有绝缘层PV3层，所述绝缘层PV3层上镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上设有GI层和金属层M4栅极，所述GI层将金属层M4栅极与IGZO半导体层隔开，所述金属层M4栅极和IGZO半导体层上设有绝缘层PV4，所述绝缘层PV4上设有金属层M5，所述金属层M5和金属层M2相连，所述金属层M5上设有有机平整层OC，所述有机平整层OC上设有阳极金属层Anode，所述阳极金属层Anode与金属层M3相连，所述有机平整层OC上设有画素定义层PDL，所述阳极金属层Anode上设有开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种新型LTPO背板结构及制作方法

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