申请/专利权人：福建华佳彩有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2022-11-15

公开（公告）号：CN217822818U

主分类号：H01L27/32

分类号：H01L27/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.15#授权

摘要：本实用新型公开了一种OLED面板LTPO新型背板结构，包括基板，所述基板的顶部镀有一层金属层M0，所述金属层M0上覆盖设置有绝缘层PV1，所述绝缘层PV1上开设有VIA1洞，所述绝缘层PV1上设置有Poly半导体层，所述Poly半导体层的外侧设置有P+层，OLED操作电路中驱动功能的TFT使用电子迁移率更大的LTPSTFT，TFT的尺寸较IGZOTFT尺寸更小；开关TFT使用漏电流更小的IGZOTFT，储存电容可以做的较小，且由于TFT分层分布，所以与只使用IGZO或LTPS背板的传统OLED面板相比，子像素的驱动电路的面积更小，分辨率更高，面板显示更清晰；OLED操作电路中开关功能的TFT使用漏电流较小的IGZOTFT，电容电位保持时间延长，可实现低频刷新显示，所以与只使用LTPS背板的传统OLED面板相比，驱动功耗更低。

主权项：1.一种OLED面板LTPO新型背板结构，包括基板（1），其特征在于：所述基板（1）的顶部镀有一层金属层M0（2），所述金属层M0（2）上覆盖设置有绝缘层PV1（3），所述绝缘层PV1（3）上开设有VIA1洞，所述绝缘层PV1（3）上设置有Poly半导体层（5），所述Poly半导体层（5）的两侧设置有P+层（4），且P+层（4）覆盖在其余部分的绝缘层PV1（3）上，所述P+层（4）和Poly半导体层（5）的顶部覆盖有GI层（6），所述GI层（6）上镀有金属层M1（7），且与P+层（4）形成储存电容Cst，所述GI层（6）和金属层M1（7）上覆盖设置有一层绝缘层PV2（8），所述金属层M0（2）镀膜形成IGZO半导体层；所述IGZO半导体层上分别镀有GI层和金属层M2，所述金属层M2和IGZO半导体层的外侧覆盖有绝缘层PV3（9），所述绝缘层PV3（9）上开设有VIA3洞，所述绝缘层PV3（9）上镀有多个金属层M3，一个所述金属层M3为开关TFT的Source、Drain极，Drain极与IGZO半导体层相连，Source极和金属层M1（7）相连，第二个所述金属层M3与IGZO半导体层的另一端相连，所述金属层M3上覆盖设置有一层有机平整层OC（10），所述有机平整层OC（10）上开设有OC洞，所述有机平整层OC（10）上镀有阳极金属层Anode（12），且阳极金属层Anode（12）与第三个金属层M3相连，第三个金属层M3相连的另一端与P+层（4）相连，所述有机平整层OC（10）上覆盖有一层画素定义层PDL（11），所述画素定义层PDL（11）与阳极金属层Anode（12）对应处设置有开口。

全文数据：

权利要求：

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