申请/专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2022-07-13

公开（公告）日：2022-08-12

公开（公告）号：CN114899103A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/16;H01L29/40;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.13#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在N型碳化硅衬底上外延形成N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层表面形成第一氧化层；在N型碳化硅外延层形成P型体区和N型漂移区；在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极；在漏极表面沉积金属形成漏极金属层，对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极。本发明形成双场板结构和双沟道结构，通过双场板结构降低表面电场，提高击穿电压，通过双沟道结构降低导通电阻。

主权项：1.一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：在N型碳化硅衬底上外延形成N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层表面形成第一氧化层；将第一氧化层作为阻挡层对N型碳化硅外延层进行刻蚀，以在N型碳化硅外延层中形成体区区域；在N型碳化硅外延层中的体区区域外延生长P型碳化硅形成P型体区，N型碳化硅外延层中P型体区以外的区域形成为N型漂移区；在N型漂移区的两侧边沿形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第二氧化层，对第一凹槽底部的N型碳化硅进行离子注入形成漏极；在漏极表面沉积金属以填充第一凹槽形成漏极金属层，漏极金属层与第二氧化层构成第一场板结构；对第一氧化层进行刻蚀形成第二凹槽，在第二凹槽内沉积多晶硅形成多晶硅栅极，多晶硅栅极与第一氧化层构成第二场板结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件

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