申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-01-04

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115084084A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538

优先权：["20210507 US 63/185,616","20210910 US 17/471,666"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.09.20#公开

摘要：一种半导体特征件，其包括：一半导体基板；一介电结构及设置在所述半导体基板上的一半导体器件；一互连结构，设置在所述介电结构中并电连接至所述半导体器件；一STI结构，设置在所述半导体基板中且围绕所述半导体器件；两个DTI结构，穿透所述半导体基板及所述STI结构且围绕所述半导体器件；一钝化结构，连接至所述半导体基板及所述DTI结构且位于所述互连结构的相对处；以及一导电结构，由所述钝化结构围绕、穿透所述半导体基板及所述STI结构至所述介电结构中、位于所述DTI结构之间且经由所述互连结构电连接至所述半导体器件。

主权项：1.一种半导体特征件，其特征在于，所述半导体特征件包含：半导体基板；介电结构，其设置在所述半导体基板上；半导体器件，其设置在所述半导体基板上；互连结构，其设置在所述介电结构中并且电连接至所述半导体器件；浅沟槽隔离结构，其设置在所述半导体基板中，并围绕所述半导体器件；两个深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构穿透所述半导体基板及所述浅沟槽隔离结构，且围绕所述半导体器件；钝化结构，其连接至所述半导体基板及所述深沟槽隔离结构，且位于所述互连结构的相对处；以及导电结构，其由所述钝化结构围绕，穿透所述半导体基板及所述浅沟槽隔离结构至所述介电结构中，位于所述深沟槽隔离结构之间，且经由所述互连结构电连接至所述半导体器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体特征件

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