申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2021-01-20

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115088067A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/00;H01L21/56

优先权：["20200212 US 16/788,813"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.20#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：一种封装件包括集成器件、被耦合至所述集成器件的衬底、以及被耦合至所述衬底的包封层。所述包封层包封所述集成器件。所述衬底包括至少一个电介质层、位于所述至少一个电介质层中的多个互连、被耦合至所述至少一个电介质层的缓冲电介质层、以及至少位于所述缓冲电介质层中的缓冲互连。

主权项：1.一种封装件，包括：集成器件；衬底，被耦合至所述集成器件，所述衬底包括：至少一个电介质层；多个互连，位于所述至少一个电介质层中；缓冲电介质层，被耦合至所述至少一个电介质层；以及缓冲互连，至少位于所述缓冲电介质层中；以及包封层，被耦合至所述衬底，其中所述包封层包封所述集成器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 包括含有应力缓冲层的衬底的封装件

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