申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-05-26

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115410995A

主分类号：H01L21/8242

分类号：H01L21/8242;H01L27/108;H01L49/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：本发明提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决第一极板易损伤、存储器的良品率低的技术问题。该制作方法包括：在基底上形成叠层结构，叠层结构包括交替设置的牺牲层和支撑层，叠层结构顶层为支撑层，且位于两个牺牲层之间的支撑层设有中间孔，中间孔内填充有牺牲材料；形成贯穿叠层结构的电容孔；在电容孔的孔壁和孔底形成第一极板；去除叠层结构顶层的支撑层中与中间孔相对的区域，形成暴露牺牲层的电容打开孔；通过电容打开孔，去除所有牺牲层和所有牺牲材料。牺牲层和牺牲材料可以通过一次刻蚀去除，无需逐层打开支撑层，减少形成第一极板后对支撑层的刻蚀，降低第一极板损伤的可能性，提高存储器的良品率。

主权项：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替设置的牺牲层和支撑层；其中，所述牺牲层的层数大于1，所述叠层结构的顶层为所述支撑层，且位于两个所述牺牲层之间的所述支撑层设有中间孔，所述中间孔内填充有牺牲材料；去除部分所述叠层结构，形成贯穿所述叠层结构的电容孔；在所述电容孔的孔壁和孔底形成第一极板；去除位于所述叠层结构的顶层的所述支撑层中与所述中间孔相对的区域，形成电容打开孔，所述电容打开孔暴露所述牺牲层；通过所述电容打开孔，去除所有所述牺牲层和所有所述中间孔内的所述牺牲材料，以暴露所述第一极板的外周面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器的制作方法及存储器

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